晶体管及电子设备制造技术

提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极地配置的层间绝缘膜、以及氧化物半导体膜上的栅电极，其中层间绝缘膜以与源电极与漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，源电极及漏电极具有压缩应力。源电极及漏电极具有压缩应力。源电极及漏电极具有压缩应力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体管及电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置及电子设备。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。
[0002]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。
[0003]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。

技术介绍

[0004]近年来，已对半导体装置进行开发，尤其是，将该半导体装置用于LSI、CPU及存储器的开发正日益火热。CPU本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；覆盖所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极地配置的层间绝缘膜；以及所述氧化物半导体膜上的栅电极，其中，所述层间绝缘膜以与所述源电极与所述漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，所述栅电极配置在所述层间绝缘膜的开口中，并且，所述源电极及所述漏电极具有压缩应力。2.一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；覆盖所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极地配置的阻挡绝缘膜；所述阻挡绝缘膜上的层间绝缘膜；所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；以及所述栅极绝缘膜上的栅电极，其中，所述阻挡绝缘膜及所述层间绝缘膜以与所述源电极及所述漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，所述栅极绝缘膜及所述栅电极配置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，神保安弘，金川朋贤，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：