具有改进布局的场效应晶体管制造技术

本发明专利技术涉及一种场效应晶体管、封装的场效应晶体管和包括其的电子器件。更具体地，本发明专利技术涉及一种具有改进的栅极指状件和漏极指状件布局的场效应晶体管。本发明专利技术提出了一种新的漏极指状件和栅极指状件布局，使得在沿着栅极指状件和漏极指状件的不同位置处的穿过晶体管单元的信号之间的相位延迟最小化。管单元的信号之间的相位延迟最小化。管单元的信号之间的相位延迟最小化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改进布局的场效应晶体管


[0001]本专利技术涉及一种场效应晶体管、一种封装场效应晶体管以及一种包括其的电子器件。更具体地，本专利技术涉及一种具有改进的栅极指状件和漏极指状件布局的场效应晶体管。

技术介绍

[0002]图1A示出了已知的横向扩散的金属氧化物半导体
‘
LDMOS
’
晶体管1的横截面。该晶体管包括导电半导体衬底2，诸如p型硅衬底。通常，较低掺杂的p型Si外延层3形成半导体衬底2的上部。p型阱4形成在栅极氧化物5下方，该氧化物由多晶硅栅极接触物6覆盖。源极接触物7接触高掺杂的n型接触区8，源极接触物7可以使用合适的金属组合物或合金(诸如多晶硅)来形成。该区延伸到栅极氧化物5下方。在栅极氧化物5正下方且与接触区8相邻的区被称为沟道区9。此外，提供高掺杂的p型沉陷部(sinker)10以隔离相邻的晶体管。通常，晶体管1的源极通过连接到衬底2的沉陷部10接地。更具体地，源极接触物7电连接到接触区8和沉陷部10。
[0003]在栅极氧化物5的相对侧提供漏极接触物11。为此，提供高掺杂的n型接触区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种场效应晶体管(150)，包括半导体衬底，在所述半导体衬底上布置有：至少一个晶体管单元阵列，每个晶体管单元阵列包括多个相邻布置的互连晶体管单元，每个晶体管单元包括第一晶体管单元单位(100)；其中，每个第一晶体管单元单位包括一个或多个栅极指状件(102)和主栅极指状件段(101)，并且其中，每个第一晶体管单元单位包括一个或多个漏极指状件(105)和主漏极指状件段(104)；其中，相邻布置的第一晶体管单元单位的主栅极指状件段电连接形成主栅极指状件，并且其中，相邻布置的第一晶体管单元单位的主漏极指状件段电连接形成主漏极指状件；其中，每个第一晶体管单元单位进一步包括：主栅极指状件基部(103)，所述主栅极指状件基部连接到第一晶体管单元单位的主栅极指状件段且从所述主栅极指状件段朝向第一晶体管单元单位的主漏极指状件段延伸，所述主栅极指状件基部连接到所述一个或多个栅极指状件；主漏极指状件基部(106)，所述主漏极指状件基部连接到第一晶体管单元单位的主漏极指状件段且从所述主漏极指状件段朝向第一晶体管单元单位的主栅极指状件段延伸，漏极栅极指状件基部连接到所述一个或多个漏极指状件；其中，每个第一晶体管单元单位的所述一个或多个栅极指状件和所述主栅极指状件段沿相同方向延伸，并且其中，每个第一晶体管单元单位的所述一个或多个漏极指状件和所述主漏极指状件段沿与所述相同方向相反的方向延伸；其中，所述场效应晶体管进一步包括联接到所述主栅极指状件的栅极条(108)和联接到所述主漏极指状件的漏极条(108)；其中，基本上所有与所述栅极条电连接的栅极指状件沿所述相同方向远离与所述栅极指状件连接的主栅极指状件基部延伸；并且其中，基本上所有与所述漏极条电连接的漏极指状件沿与所述相同方向相反的方向远离与所述漏极指状件连接的主漏极指状件基部延伸。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，基本上所有漏极指状件包括第一端部和第二端部，在所述第一端部处，所述漏极指状件连接到所述漏极指状件对应的主漏极指状件基部，所述第二端部沿与所述相同方向相反的方向与所述第一端部间隔开，其中，对于所述基本上所有漏极指状件中的每个，每个第一端部布置在对应的主漏极指状件基部与对应的第二端部之间。3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中，电连接到所述栅极条的栅极指状件的75％以上，更优选地90％以上，最优选地所有栅极指状件沿所述相同方向延伸，并且其中，电连接到所述漏极条的漏极指状件的75％以上，更优选地90％以上，最优选地所有漏极指状件沿与所述相同方向相反的方向延伸。4.根据前述权利要求中任一项所述的场效应晶体管，其中，所述栅极条沿第一方向延伸，并且其中，所述漏极条沿垂直于所述第一方向的第二方向与所述栅极条间隔开并且沿所述第一方向延伸。5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中，所述至少一个晶体管单元阵列中的每个晶体管单元阵列布置在所述栅极条和所述漏极条之间，和/或其中所述相同方向对应于所述第二方向。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其中，每个第一晶体管单元单位的主漏极指状件段和主栅极指状件段沿第一方向间隔开；其中优选地，对于每个第一晶体管单元单位，主栅极指状件基部沿与所述第二方向相反的方向从所述主栅极指状件段朝向所述主漏极指状件段延伸，并且其中，主漏极指状件基部沿所述第二方向从所述主漏极指状件段朝向所述主栅极指状件段延伸；或其中优选地，对于每个第一晶体管单元单位，主栅极指状件基部沿所述第二方向从所述主栅极指状件段朝向所述主漏极指状件段延伸，并且其中，主漏极指状件基部沿与所述第二方向相反的方向从所述主漏极指状件段朝向所述主栅极指状件段延伸。7.根据权利要求4至6中任一项所述的场效应晶体管，其中，所述晶体管单元包括第二晶体管单元单位(100B)，其中，所述第二晶体管单元单位是第一晶体管单元单位沿着所述第一晶体管单元单位的主栅极指状件段的镜像副本，其中，所述第一晶体管单元单位和所述第二晶体管单元单位沿所述第一方向相邻布置且共享所述主栅极指状件段；或其中，所述晶体管单元包括第二晶体管单元单位，所述第二晶体管单元单位是第一晶体管单元单位沿着所述第一晶体管单元单位的主漏极指状件段的镜像副本，其中，所述第一晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：帕特里克，
申请(专利权)人：安普林荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：