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本申请公开了用于自对准接触的混合膜方案。一种形成半导体器件的方法包括：形成突出得高于衬底的鳍；在鳍之上形成金属栅极，金属栅极被电介质层包围；蚀刻金属栅极以降低金属栅极的高度，其中，在进行蚀刻之后，在金属栅极之上且在金属栅极的栅极间隔件之间形...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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