在衬底处理系统中用于加载锁的自动清洁技术方案

一种用于清洁衬底处理系统中的加载锁的方法包含：在第一时段中，将与气体源流体连通的第一阀开启，以供应气体通过第一通气口而进入所述加载锁的气体容积。所述气体在足以从所述加载锁的表面上扰动颗粒的压强和流率下供应。所述方法包含：在所述第一时段之后的第二时段中且所述第一阀开启的情况下，将与泵流体连通的第二阀开启，并且启动所述泵以从所述加载锁的所述气体容积中冲洗掉所述气体和所述颗粒；以及在所述第二时段之后的第三时段中，关闭所述第一阀，同时继续经由所述第二阀而从所述加载锁的所述气体容积中泵抽所述气体和所述颗粒。所述颗粒。所述颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在衬底处理系统中用于加载锁的自动清洁
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2019年10月8日申请的美国临时申请No.62/912,584的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本公开涉及衬底处理系统中的清洁部件。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性处理包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻、快速热处理(RTP)、离子植入、物理气相沉积(PVD)和/或其他蚀刻、沉积或清洁处理。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，衬底支撑件例如基座、静电卡盘(ESC)等。在处理期间，可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室，并且可以使用等离子体来引发化学反应。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于清洁衬底处理系统中的加载锁的方法，所述方法包含：(a)在第一时段中，将与气体源流体连通的第一阀开启，以供应气体通过第一通气口而进入所述加载锁的气体容积，其中所述气体在足以从所述加载锁的表面上扰动颗粒的压强和流率下供应；(b)在所述第一时段之后的第二时段中且所述第一阀开启的情况下，(i)将与泵流体连通的第二阀开启，并且(ii)启动所述泵以从所述加载锁的所述气体容积中冲洗掉所述气体和所述颗粒；以及(c)在所述第二时段之后的第三时段中，关闭所述第一阀，同时继续经由所述第二阀而从所述加载锁的所述气体容积中泵抽所述气体和所述颗粒。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一通气口对应于环绕所述加载锁的外周的环形通气口。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一通气口对应于穿过所述加载锁的底部的底部通气口。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一通气口对应于穿过所述加载锁的盖部的顶部通气口。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述气体以至少每分钟170标准升的流率被供应通过所述第一通气口。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一时段为0
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10秒。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一时段少于1秒。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二时段为1
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60秒。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二时段少于10秒。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三时段为0.5
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1.5秒。11.根据权利要求1所述的方法，其还包含重复进行步骤(a)、(b)以及(c)。12.根据权利要求1所述的方法，其还包含在所述第一时段中将与所述气体源流体连通的第三阀开启，以供应所述气体通过第三通气口而进入所述加载锁的所述气体容积。13.根据权利要求12所述的方法，其还包含在所述第一时段中交替开启所述第一阀和所述第三阀。14.根据权利要求1所述的方法，其还包含：(d)在第四时段中，将与所述气体源流体连通的第三阀开启，以供应所述气体通过第三通气口而进入所述加载锁的所述气体容积；(e)在所述第四时段之后的第五时段中且所述第三阀开启的情况下，(i)将所述第二阀开启，并且(ii)启动所述泵以从所述加载锁的所述气体容积中冲洗掉所述气体和所述颗粒；以及(f)在所述第五时段之后的第六时段中，关闭所述第三阀，同时继续经由所述第二阀而从所述加载锁的所述气体容积中泵抽所述气体和所述颗粒。15.一种用于清洁衬底处理系统中的加载锁的系统，其包含：第一阀，其与气体源和所述加载锁的气体容积流体连通；第二阀，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚当，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：