【技术实现步骤摘要】
具备处理液供应单元的基板处理装置以及基板处理方法
[0001]本专利技术涉及具备处理液供应单元的基板处理装置、具备其的基板处理设备以及利用其的基板处理方法。
技术介绍
[0002]通常,半导体元件的制造工艺构成为以晶圆等基板作为对象重复执行薄膜蒸镀工艺、蚀刻工艺、清洗工艺、光刻工艺等各种单位工艺。其中,湿式清洗工艺、湿式蚀刻工艺、涂布工艺等一部分工艺具备用于向基板供应处理液的处理液供应单元。
[0003]处理液供应单元将与各处理工艺符合的处理液调节处理液的浓度以及温度后提供于基板。具备这样的处理液供应单元的基板处理装置可以具备被安装基板的旋转头以及向安装于旋转头的基板喷射处理液的喷嘴。喷嘴与储存有处理液的储罐通过供应管线连接,供应管线从储罐接收处理液并向喷嘴提供。在供应管线中可以设置对向喷嘴供应的处理液的量进行调节的调节阀以及将残留在喷嘴中的处理液通过倒吸(suck
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back)来去除残留在喷嘴中的处理液的倒吸阀。当调节阀关闭(off)而切断向喷嘴供应的处理液时,倒吸阀倒吸残留在喷嘴中的处理液来防止 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置,包括:基板支承单元,用于支承基板;以及处理液供应单元,朝向所述基板供应处理液,所述处理液供应单元包括:喷嘴,向所述基板上供应所述处理液;处理液供应部,包括用于向所述喷嘴供应所述处理液的供应管线;以及冷却部,用于冷却所述处理液。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述冷却部向所述供应管线外部供应冷却流体。3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,所述冷却部包括提供为环绕所述供应管线的管状部件。4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,所述管状部件包括内部空间,所述冷却部向所述内部空间供应冷却流体。5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,通过所述冷却部减小所述处理液的体积。6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置,其特征在于,所述冷却部根据所述处理液的种类来控制向所述内部空间供应的冷却流体的温度、供应流量、供应时间、热交换面积中的一个以上。7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述喷嘴与惰性气体供应部连接,并向所述基板上喷出惰性气体。8.一种基板处理设备,包括:装载端口,被安装收纳有基板的载体;索引腔室,在内部提供有从安装于所述装载端口的所述载体搬运所述基板的索引机械手;以及工艺处理部,包括对所述基板执行液体处理工艺的液体处理装置,所述液体处理装置包括:基板支承单元,用于支承所述基板;以及处理液供应单元,朝向所述基板供应处理液,所述处理液供应单元包括:喷嘴,向所述基板上供应所述处理液;处理液供应部,包括用于向所述喷嘴供应所述处理液的供应管线;以及冷却部,用于冷却所述处理液,所述冷却部包括提供为环绕所述供应管线的管状部件。9.根据权利要求8所述的基板处理设备,其特征在于,所述冷却部向所述供应管线外部供应冷却流体。10.根据权利要求8所述的基板处理设备,其特征在于,所述管状部件...
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