半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法，该半导体制造设备包括反应腔室、载台和喷头组件，载台设置在反应腔室中，载台用于承载晶圆；喷头组件也设置在反应腔室中，且喷头组件设置在载台的上方，喷头组件包括第一喷头和第二喷头，第二喷头环设在第一喷头的外围，第一喷头用于喷洒反应气体，第二喷头用于在晶圆卸载过程中对晶圆进行吹扫。本发明专利技术公开的半导体制造设备中，第二喷头在晶圆的卸载过程中吹扫晶圆的表面，从而能够减少或去除污染物颗粒，避免污染物颗粒影响产品良率以及避免污染物颗粒对设备造成交叉污染。率以及避免污染物颗粒对设备造成交叉污染。率以及避免污染物颗粒对设备造成交叉污染。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法。

技术介绍

[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
[0003]在现有的半导体工艺中，晶圆需要经过多道工艺工序，不可避免地会受到污染，例如，在半导体沉积工艺以及刻蚀工艺的过程中，制程气体会在晶圆的表面形成颗粒，即形成颗粒污染，导致影响晶圆的良率；而且在晶圆移动传片时，附着在晶圆上的颗粒污染还可能会引起机台设备的交叉污染的问题，对机台造成污染。

技术实现思路

[0004]本专利技术的第一方面提出了一种半导体制造设备，所述半导体制造设备包括：
[0005]反应腔室；
[0006]载台，所述载台设置在所述反应腔室中，所述载台用于承载晶圆；
[0007]喷头组件，所述喷头组件设置在所述反应腔室中并位于所述载台的上方，所述喷头组件包括第一喷头和第二喷头，所述第二喷头环设在所述第一喷头的外围，所述第一喷头用于喷洒反应气体，所述第二喷头用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造设备，其特征在于，包括：反应腔室；载台，所述载台设置在所述反应腔室中，所述载台用于承载晶圆；喷头组件，所述喷头组件设置在所述反应腔室中并位于所述载台的上方，所述喷头组件包括第一喷头和第二喷头，所述第二喷头环设在所述第一喷头的外围，所述第一喷头用于喷洒反应气体，所述第二喷头用于在所述晶圆卸载过程中对所述晶圆进行吹扫。2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备还包括与所述第一喷头的外壁相连接的静电卡盘。3.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其特征在于，所述第二喷头形成在所述静电卡盘上。4.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其特征在于，所述静电卡盘设置为陶瓷卡盘。5.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述第二喷头内设置有分流件，所述分流件用于使所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐官基，白国斌，高建峰，王桂磊，田光辉，丁云凌，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：