一种晶圆检测装置及半导体设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种晶圆检测装置及半导体设备。晶圆检测装置包括至少一组检测组件，每组所述检测组件包括相对设置的发射装置和接收装置，所述发射装置用于从晶圆放置区域的下方发射光束，所述接收装置用于从晶圆放置区域的上方接收所述光束，并根据是否接收到光束判断出所述晶圆放置区域内是否放置有晶圆。本实用新型专利技术通过设置发射装置从晶圆放置区域的下方发射光束，即使发出的光束照射在晶圆的背面，以减小晶圆对光束的影响，从而有效降低误检频率，提高检测的精确性。提高检测的精确性。提高检测的精确性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆检测装置及半导体设备


[0001]本技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶圆检测装置及半导体设备。

技术介绍

[0002]在半导体制造的多个设备中，需要先将晶圆按照要求放置在设定的位置上，然后再开始后续的工艺。因此，需要在设备中设置相应的检测装置，先进行晶圆有无的检测，即确认设定位置上是否放置有晶圆。
[0003]随着半导体技术的发展，芯片种类也越来越多。在不同的芯片的制造过程中，晶圆表面形成的薄膜的材质不一样，使得晶圆表面的反光性也不相同。对于一些表面反光性较强的晶圆，使用现有的检测装置进行检测时，检测用的光束照射在晶圆表面上后容易发生散射而形成干扰光线，导致检测结果出错的频率较高，发生误报警的频率较高。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种晶圆检测装置及半导体设备，以解决现有的检测装置用于检测表面反光性较强的晶圆时，发生误检的频率较高。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供一种晶圆检测装置，包括：
[0006]至少一组检测组件，每组所述检测组件包括相对设置的发射装置和接收装置，所述发射装置用于从晶圆放置区域的下方发射光束，所述接收装置用于从晶圆放置区域的上方接收所述光束，并根据是否接收到光束判断出所述晶圆放置区域内是否放置有晶圆。
[0007]可选的，还包括放置台，位于所述晶圆放置区域内，用于放置晶圆。
[0008]可选的，所述发射装置发出的光束照射在所述放置台的中间区域。
[0009]可选的，在垂直于所述放置台台面的方向上，所述发射装置和所述接收装置与所述放置台间的距离相同，且不少于1cm。
[0010]可选的，在平行于所述放置台台面的方向上，所述发射装置和所述接收装置与所述放置台间的距离相同，且不少于1cm。
[0011]可选的，还包括腔体，所述检测组件设置在所述腔体的外侧，并在所述腔体的侧壁上设置有第一通孔和第二通孔，所述发射装置通过第一通孔发射光束至所述腔体内，所述接收装置通过所述第二通孔接收光束。
[0012]可选的，包括多组所述检测组件，多组所述检测组件环绕在所述晶圆放置区域的外围。
[0013]可选的，所述检测组件为激光传感器。
[0014]本技术还提供了一种半导体设备，包括如上所述的晶圆检测装置。
[0015]在本技术提供的晶圆检测装置，包括至少一组检测组件，每组检测组件包括相对设置的发射装置和接收装置，所述发射装置用于从晶圆放置区域的下方发射光束，所述接收装置用于从晶圆放置区域的上方接收所述光束，并根据是否接收到光束判断出所述晶圆放置区域内是否放置有晶圆。通过设置发射装置从晶圆放置区域的下方发射光束，即
使发出的光束照射在晶圆的背面，以减小晶圆对光束的影响，从而有效降低误检频率，提高检测的精确性。
附图说明
[0016]图1为本技术一实施例提供的晶圆检测装置的示意图；
[0017]图2为本技术一实施例提供的晶圆检测装置另一示意图；
[0018]图中，
[0019]110
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发射装置；111
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第一发射装置；112
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第二发射装置；120
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接收装置；121
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第一接收装置；122
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第二接收装置；200
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晶圆；300
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放置台；400
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腔体；410
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第一通孔；420
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第二通孔。
具体实施方式
[0020]现有技术中，对于一些表面反光性较强的晶圆，检测用的光束照射在晶圆表面上后容易发生散射而形成干扰光线，导致检测结果出错的频率较高，发生误报警的频率较高。本实施例提供的晶圆检测设备，通过设置发射装置发出的光束照射在晶圆的背面，从而减小晶圆表面对光束的影响，以降低检测的误检率，提高检测的精确性。
[0021]以下结合附图和具体实施例对本技术提出的晶圆检测装置及半导体设备作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。
[0022]图1为本技术一实施例提供的晶圆检测装置的示意图。如图1所示，本实施例提供的晶圆检测装置包括至少一组检测组件，每组所述检测组件包括相对设置的发射装置110和接收装置120，用于检测晶圆放置区域内是否放置有晶圆。具体的，所述发射装置110用于从晶圆放置区域的下方发射光束；所述接收装置120用于从晶圆放置区域的上方接收所述光束，并根据是否接收到光束判断出所述晶圆放置区域内是否放置有晶圆。
[0023]如图1所示，在检测过程中，当所述发射装置110发出的光束照射在晶圆200的表面时，若晶圆放置区域内放置有晶圆200，光束会被晶圆挡住，所述接收装置120将接收不到光束，不会发出任何信号；反之，若晶圆放置区域内没有放置晶圆，则光束将照射在所述接收装置120上，所述接收装置120在接收到光束后，会发出报警信号。即，在检测过程中，若所述接收装置120未发出报警信号，则表示晶圆放置区域内有晶圆；若所述接收装置120发出报警信号，则表示晶圆放置区域内没有晶圆。
[0024]在半导体器件生产过程中，会通过淀积、蒸发等方式在晶圆的表面增加金属层、氧化层等薄膜以形成不同的器件，不同材质的薄膜的发光性不一样。而部分工艺中形成的薄膜较为光亮，使得晶圆表面的反光性较强。若设置发射装置照射晶圆表面，光束照射在晶圆表面上时容易发射散射，导致会有光线照射到接收装置上，则接收装置将发出报警信号，从而引起误检。相对的，晶圆的背面比较暗淡，反光性较低，对光束的影响较小。
[0025]本实施例中，所述发射装置110用于从晶圆放置区域的下方发射光束，即所述发射装置110发射的光束将照射在晶圆200的背面，以减小晶圆对光束的影响，从而有效降低误检频率，提高检测的精确性。
[0026]继续参考图1所示，本实施例提供的检测装置还包括放置台300，位于所述晶圆放置区域内，用于放置晶圆200。此时，可沿着所述放置台300的外围空间，进行所述发射装置110和所述接收装置120的布置。其中，所述发射装置110可设置在所述放置台300的下方，所述接收装置120可设置在所述放置台300的上方，且与所述发射装置110相对设置。
[0027]具体的，在垂直于所述放置台300台面的方向上，所述发射装置110和所述接收装置120与所述放置台300间的距离相同，且不少于1cm。在平行于所述放置台300台面的方向上，所述发射装置110和所述接收装置120与所述放置台300间的距离相同，且不少于1cm。
[0028]进一步的，所述发射装置110发出的光束照射在所述放置台300的中间区域。例如，可使相对设置的所述发射装置110和所述接收装置120间的连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测装置，其特征在于，包括：至少一组检测组件，每组所述检测组件包括相对设置的发射装置和接收装置，所述发射装置用于从晶圆放置区域的下方发射光束，所述接收装置用于从晶圆放置区域的上方接收所述光束，并根据是否接收到光束判断出所述晶圆放置区域内是否放置有晶圆。2.如权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，还包括放置台，位于所述晶圆放置区域内，用于放置晶圆。3.如权利要求2所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述发射装置发出的光束照射在所述放置台的中间区域。4.如权利要求2所述的晶圆检测装置，其特征在于，在垂直于所述放置台台面的方向上，所述发射装置和所述接收装置与所述放置台间的距离相同，且不少于1cm。5.如权利要求2所述的晶圆检测装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金春锋，施龚伟，刘鹏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：