用于制造三维存储器的方法及三维存储器技术

本公开涉及一种用于制造三维存储器的方法及三维存储器。该方法包括：在划分有台阶区和存储区的叠层结构形成栅线缝隙槽，其中，叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，并且设置有包括电荷捕获层和电荷阻挡层的沟道结构；移除绝缘层的至少一部分以形成绝缘空间并暴露出沟道结构；去除电荷阻挡层的与绝缘空间对应的部分；以及处理电荷捕获层的与绝缘空间对应的部分，使电荷捕获层的与牺牲层对应的多个捕获部之间彼此电性隔绝。捕获部之间彼此电性隔绝。捕获部之间彼此电性隔绝。

【技术实现步骤摘要】
用于制造三维存储器的方法及三维存储器


[0001]本公开涉及半导体领域，更具体的，涉及一种用于制造三维存储器的方法及三维存储器。

技术介绍

[0002]随着存储技术的不断发展，三维存储器已然替代传统的二维存储器成为市场上的主流样式。人们仍在追求更大的存储量、更高的存储密度。
[0003]将三维存储器中叠层结构的栅极层和绝缘层变薄，可以在同样高度下堆叠更多数量的层，从而实现更高的存储密度。然而，叠层结构中的层变薄后也会带来一些问题，例如沟道结构的电荷存储层中电荷横向迁移更加容易，这样会导致数据的保留性能降低；又例如存储单元之间的耦合(coupling)更加严重。
[0004]因此，需要一种具有高存储密度、同时存储性能较好的三维存储器。

技术实现思路

[0005]本公开的实施方式可至少解决上述现有技术中的一个或多个技术问题、或用于解决现有技术中的其它一些技术问题。
[0006]本公开的实施方式提供了一种用于制造三维存储器的方法，该方法包括：在叠层结构形成栅线缝隙槽，其中，所述叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造三维存储器的方法，其特征在于，包括：在叠层结构形成栅线缝隙槽，其中，所述叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，并且设置有包括电荷捕获层和电荷阻挡层的沟道结构；移除所述绝缘层的至少一部分以形成绝缘空间并暴露出所述沟道结构；去除所述电荷阻挡层的与所述绝缘空间对应的部分；以及处理所述电荷捕获层的与所述绝缘空间对应的部分，使所述电荷捕获层的与所述牺牲层对应的多个捕获部之间彼此电性隔绝。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述堆叠的方向的垂面内，所述叠层结构包括台阶区和存储区；其中，移除所述绝缘层的至少一部分以形成绝缘空间并暴露出所述沟道结构的步骤包括：在所述台阶区上以及所述栅线缝隙槽的位于所述台阶区的槽段中形成掩模图案；以及通过所述栅线缝隙槽的未被所述掩模图案覆盖的槽段移除所述绝缘层的至少一部分以形成绝缘空间并暴露出所述沟道结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述堆叠的方向的垂面内，所述叠层结构包括台阶区和存储区；其中，在形成所述栅线缝隙槽的步骤之前，所述方法还包括：将所述叠层结构在所述台阶区的部分形成为台阶结构；在所述台阶结构上形成绝缘填充体；以及在所述存储区形成所述沟道结构。4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述掩模图案的步骤包括：在所述叠层结构上及所述栅线缝隙槽中形成掩模结构；通过对所述掩模结构曝光和显影，形成所述掩模图案。5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掩模图案自所述台阶区延伸覆盖所述存储区的一部分，所述掩模图案的延伸长度小于相邻两个栅线缝隙槽之间的间距。6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，在处理所述电荷捕获层的对应所述绝缘空...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜小龙，高庭庭，孙昌志，刘小欣，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：