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本公开涉及一种用于制造三维存储器的方法及三维存储器。该方法包括：在划分有台阶区和存储区的叠层结构形成栅线缝隙槽，其中，叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，并且设置有包括电荷捕获层和电荷阻挡层的沟道结构；移除绝缘层的至少一部分以形成绝缘空间...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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