一种低厚度耐电流SiCPIN二极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种低厚度耐电流SiC PIN二极管，包括：N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面；N型本征层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面；P型重掺杂金刚石传输层下侧面连接至N型本征层的上侧面；P型欧姆电极的下侧面连接至P型重掺杂金刚石传输层的上侧面；使得二极管厚度减小，耐电流能力增加四倍。耐电流能力增加四倍。耐电流能力增加四倍。

【技术实现步骤摘要】
一种低厚度耐电流SiC PIN二极管


[0001]本技术涉及一种低厚度耐电流SiC PIN二极管。

技术介绍

[0002]SiC器件碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。其高温大功率电子器件具备输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、耐高温高压等优点，在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛应用。
[0003]但是限于材料特性，其本征击穿场强确定，提高PIN二极管耐压的主要方式是改善终端结构，通过对掺杂方式的优化来得到更高耐压的PIN二极管，因此其改善程度非常有限。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题，在于提供一种低厚度耐电流SiC PIN二极管，使得二极管厚度减小，耐电流能力增加四倍。
[0005]本技术是这样实现的：一种低厚度耐电流SiC PIN二极管，包括：
[0006]一N型欧姆电极；
[0007]一N型重掺杂半导体传输层，所述N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至所述N型欧姆电极的上侧面；
[0008]一N型本征层，所述N型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低厚度耐电流SiC PIN二极管，其特征在于：包括：一N型欧姆电极；一N型重掺杂半导体传输层，所述N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至所述N型欧姆电极的上侧面；一N型本征层，所述N型本征层的下侧面连接至所述N型重掺杂半导体传输层的上侧面；一P型重掺杂金刚石传输层，所述P型重掺杂金刚石传输层下侧面连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜洁，施广彦，李佳帅，李志君，黄波，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：