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本实用新型提供了一种低厚度耐电流SiC PIN二极管,包括:N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面;N型本征层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面;P型重掺杂金刚石传输层下侧面连接至N型本征层的上侧面;P型欧姆电极...该专利属于泰科天润半导体科技(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泰科天润半导体科技(北京)有限公司授权不得商用。
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本实用新型提供了一种低厚度耐电流SiC PIN二极管,包括:N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面;N型本征层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面;P型重掺杂金刚石传输层下侧面连接至N型本征层的上侧面;P型欧姆电极...