【技术实现步骤摘要】
三维存储器、制备方法及存储系统
[0001]本申请的实施方式涉及半导体
，更具体地，涉及一种三维存储器、制备方法及存储系统。
技术介绍
[0002]在三维存储器中，通常采用不同的晶圆(wafer)制备存储阵列和控制存储阵列的外围电路，再通过键合(bonding)的方式，将其形成整体，以节省全工艺时间。在此种方案下，存储阵列的部分工艺可以从背面完成，以释放工艺和设计窗口(design window)。
[0003]然而，从背面完成该部分工艺会对三维存储器的良率造成一定影响。
技术实现思路
[0004]本申请的实施方式提供了一种可至少部分解决现有技术中存在的上述问题的三维存储器、制备方法及存储系统。
[0005]本申请的实施方式一方面提供了一种三维存储器，包括：第一堆叠结构，包括多个第一堆叠层，第一堆叠层包括导电层和层间绝缘层；多个第一接触部，从第一堆叠结构的第一表面穿过部分第一堆叠层并分别延伸至各自预定深度的导电层，以及，虚拟沟道结构，从第一堆叠结构的与第一表面相对的第二表面穿过第一堆叠层
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：第一堆叠结构，包括多个第一堆叠层，所述第一堆叠层包括导电层和层间绝缘层；多个第一接触部，从所述第一堆叠结构的第一表面穿过部分所述第一堆叠层并分别延伸至各自预定深度的导电层，以及，虚拟沟道结构，从所述第一堆叠结构的与所述第一表面相对的第二表面穿过所述第一堆叠层并延伸至所述导电层。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述导电层包括栅极层和第二接触部，所述栅极层通过所述第二接触部与所述第一接触部连接。3.根据权利要求2所述的三维存储器，其中，相邻所述第二接触部在所述第一表面上的投影之间的空隙小于预定阈值。4.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，在垂直于所述第一堆叠结构的堆叠方向的平面上，所述第二接触部沿第一方向的延伸长度大于等于与所述第二接触部连接的第一接触部和与所述连接的第一接触部相邻的第一接触部之间的间距的一半，所述第一方向为朝向所述相邻的第一接触部的方向。5.根据权利要求2所述的三维存储器，其中，形成所述第二接触部的导电材料与形成所述栅极层的导电材料相同。6.根据权利要求2所述的三维存储器，其中，所述第一接触部和与其连接的所述第二接触部形成为一体。7.根据权利要求1至6中任一项所述的三维存储器，其中，所述虚拟沟道结构在所述第一堆叠结构的堆叠方向上具有至少一个台阶，至少一个所述导电层与所述台阶的平行于所述导电层的一面接触。8.根据权利要求1至6中任一项所述的三维存储器，其中，所述虚拟沟道结构在所述第一堆叠结构的堆叠方向上具有至少一个凹部，至少一个所述导电层与所述凹部的表面接触。9.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括通过堆叠栅极牺牲层和层间绝缘层形成的多个第二堆叠层；形成从所述第二堆叠结构的远离所述衬底的第一表面穿过部分所述第二堆叠层、并分别延伸至各自预定深度的栅极牺牲层的多个接触孔；去除所述栅极牺牲层的位于每个所述接触孔的底部的至少一部分，以形成凹陷；在每个所述接触孔和所述接触孔对应的凹陷中形成导电接触部；以及去除所...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢景涛，颜丙杰，周文犀，王迪，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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