混合半导体器件和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种混合半导体器件和包括该混合半导体器件的电子装置，该混合半导体器件包括：中介基板、安装在中介基板上的半导体封装、在封装基板上覆盖半导体芯片的至少一部分并暴露半导体芯片的上表面的模制构件、以及至少部分地围绕半导体封装设置在中介基板的上表面上的加强件。上表面上的加强件。上表面上的加强件。

【技术实现步骤摘要】
混合半导体器件和电子装置


[0001]专利技术构思大体涉及混合半导体器件和包括混合半导体器件的电子装置。更具体地，专利技术构思涉及包括半导体芯片可以安装在其上的球栅阵列(BGA)封装的混合半导体器件、以及包括该混合半导体器件的电子装置。

技术介绍

[0002]BGA封装可以用作电子装置的芯片相关部件，诸如高性能计算系统(HPC)、网络系统、汽车部件等。传统的片上系统(SOC)封装通常以相对厚且昂贵的印刷电路板(PCB)基板为特征，该基板提供了改进的信号完整性。然而，仍然需要提供高性能信号的低成本、相对较薄的BGA封装结构。

技术实现思路

[0003]专利技术构思的实施方式提供了混合半导体器件，其具有减小的总厚度，并且还提供了改善的信号特性。
[0004]专利技术构思的实施方式提供了包括这种混合半导体器件的电子装置。
[0005]根据一些实施方式，一种混合半导体器件包括：中介基板(interposer substrate)；安装在中介基板的上表面上的半导体封装，该半导体封装包括封装基板、安装在封装基板上的半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混合半导体器件，包括：中介基板；安装在所述中介基板的上表面上的半导体封装，所述半导体封装包括封装基板、安装在所述封装基板上的半导体芯片、以及在所述封装基板上覆盖所述半导体芯片的侧表面并暴露所述半导体芯片的上表面的模制构件；以及至少部分地围绕所述半导体封装设置在所述中介基板上的加强件。2.根据权利要求1所述的混合半导体器件，其中所述半导体芯片的所述上表面与所述模制构件的上表面共面。3.根据权利要求1所述的混合半导体器件，其中所述封装基板包括无芯基板和芯多层基板中的一个。4.根据权利要求1所述的混合半导体器件，其中所述加强件是围绕所述半导体封装并设置在所述中介基板的外围区域中的四壁结构。5.根据权利要求1所述的混合半导体器件，其中所述中介基板包括芯多层基板。6.根据权利要求1所述的混合半导体器件，其中所述半导体封装还包括安装在所述封装基板的上表面上的第一上无源器件和安装在所述封装基板的下表面上的第一下无源器件中的至少一个。7.根据权利要求6所述的混合半导体器件，其中所述半导体封装还包括设置在所述封装基板的所述下表面上的封装连接端子，并且所述第一下无源器件的高度小于所述封装连接端子的高度。8.根据权利要求7所述的混合半导体器件，进一步包括：安装在所述中介基板的所述上表面上的第二上无源器件和安装在所述中介基板的下表面上的第二下无源器件中的至少一个；以及设置在所述中介基板的所述下表面上的中介连接端子。9.根据权利要求8所述的混合半导体器件，其中所述封装连接端子之间的节距小于所述中介连接端子之间的节距。10.根据权利要求1所述的混合半导体器件，其中所述半导体封装相对于所述中介基板的上表面具有第一高度，并且所述加强件相对于所述中介基板的所述上表面具有不同于所述第一高度的第二高度。11.一种混合半导体器件，包括：中介基板；设置在所述中介基板的上表面上的半导体封装，所述半导体封装包括封装基板、安装在所述封装基板上的半导体芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：权兴奎，朴浚曙，李稀裼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：