包含支撑结构的存储器装置制造方法及图纸

本申请涉及包含支撑结构的存储器装置。一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：相应存储器单元层面及控制栅极，所述层面在衬底上方彼此上下叠放，所述控制栅极包含最靠近所述衬底的控制栅极，所述控制栅极包含形成阶梯结构的相应部分；导电触点，所述导电触点在所述阶梯结构的位置处与所述控制栅极接触，所述导电触点包含与所述控制栅极接触的导电触点；介电结构，所述介电结构位于所述控制栅极的侧壁上；以及支撑结构，所述支撑结构邻近所述导电触点并且具有从所述衬底竖直延伸的长度，所述支撑结构包含最靠近所述导电触点的支撑结构，所述支撑结构位于距所述介电结构的边缘一定距离处，其中，所述支撑结构的宽度与所述距离的比率在从1.6至2.0的范围内。的范围内。的范围内。

【技术实现步骤摘要】
包含支撑结构的存储器装置


[0001]本文中描述的实施例涉及存储器装置，所述存储器装置包含位于存储器装置的阶梯区域处的支撑结构。

技术介绍

[0002]存储器装置(例如，快闪存储器装置)中的部件的结构的尺寸相对较小(例如，为纳米大小)。在某个尺寸下，存储器装置的一些结构可能在存储器装置的制造期间发生塌陷。一些常规技术使用附加的化学处理步骤来防止此塌陷。然而，附加步骤可能增加制造存储器装置的成本。

技术实现思路

[0003]本公开的一个方面提供了一种设备，其包括：衬底；层面，所述层面在所述衬底上方彼此上下叠放，所述层面包含相应的存储器单元和用于所述存储器单元的控制栅极，所述控制栅极包含最靠近所述衬底的控制栅极而非其它控制栅极，所述控制栅极包含共同形成阶梯结构的相应部分；导电触点，所述导电触点在所述阶梯结构的位置处与所述控制栅极接触，所述导电触点具有从所述衬底竖直延伸的不同长度，所述导电触点包含与第一控制栅极接触的导电触点；介电结构，所述介电结构邻近所述层面的所述控制栅极的侧壁；以及支撑结构，所述支撑结构邻近所述导电触点并且与所述控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：衬底；层面，所述层面在所述衬底上方彼此上下叠放，所述层面包含相应的存储器单元和用于所述存储器单元的控制栅极，所述控制栅极包含最靠近所述衬底的控制栅极而非其它控制栅极，所述控制栅极包含共同形成阶梯结构的相应部分；导电触点，所述导电触点在所述阶梯结构的位置处与所述控制栅极接触，所述导电触点具有从所述衬底竖直延伸的不同长度，所述导电触点包含与第一控制栅极接触的导电触点；介电结构，所述介电结构邻近所述层面的所述控制栅极的侧壁；以及支撑结构，所述支撑结构邻近所述导电触点并且与所述控制栅极和所述导电触点电分离，所述支撑结构具有从所述衬底竖直延伸并延伸穿过所述控制栅极的至少一部分的长度，所述支撑结构包含最靠近所述导电触点的支撑结构而非其它支撑结构，所述支撑结构位于距所述介电结构的边缘一定距离处，其中，所述支撑结构的宽度与所述距离的比率在从1.6至2.0的范围内。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一支撑结构具有在从345纳米至375纳米的范围内的宽度。3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述距离具有从190纳米至203纳米的范围。4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述控制栅极中的每一者具有在从30纳米至35纳米的范围内的厚度。5.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括与所述控制栅极交错的介电材料层级，其中所述介电材料层中的每一者的厚度在从22纳米至27纳米的范围内。6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述控制栅极的所述侧壁是第一侧壁，所述介电结构是第一介电结构，所述支撑结构是所述支撑结构中的第一支撑结构，所述距离是第一距离，并且所述设备进一步包括：第二介电结构，所述第二介电结构位于与所述控制栅极的所述第一侧壁相对的第二侧壁上；以及所述支撑结构包含第二支撑结构，所述第二支撑结构邻近所述第一支撑结构和所述导电触点，所述第二支撑结构位于距所述第二介电结构的边缘第二距离处，其中，所述第二支撑结构的宽度与所述第二距离的比率在从1.6至2.0的范围内。7.一种设备，其包括：衬底；层面，所述层面在所述衬底上方彼此上下叠放，所述层面包含相应的存储器单元和用于所述存储器单元的控制栅极，所述控制栅极包含最靠近所述衬底的控制栅极而非其它控制栅极，所述控制栅极包含共同形成阶梯结构的相应部分；导电触点，所述导电触点在所述阶梯结构的位置处与所述控制栅极接触，所述导电触点具有从所述衬底竖直延伸的不同长度，所述导电触点包含与第一控制栅极接触的导电触点；以及支撑结构，所述支撑结构邻近所述导电触点并且与所述控制栅极和所述导电触点电分离，所述支撑结构具有从所述衬底竖直延伸并延伸穿过所述控制栅极的至少一部分的长
度，所述支撑结构包含最靠近所述导电触点的支撑结构而非其它支撑结构，其中，所述支撑结构的宽度是至少345纳米。8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述支撑结构的所述宽度具有从345纳米至375纳米的范围。9.根据权利要求7所述的设备，其中，所述支撑结构的所述长度相同。10.根据权利要求7所述的设备，其中所述支撑结构是所述支撑结构中的第一支撑结构，并且所述支撑结构中的第二支撑结构的宽度与所述第一支撑结构的所述宽度不同。11.根据权利要求7所述的设备，其中，所述控制栅极中的每一者具有在从30纳米至35纳米的范围内的厚度。12.一种设备，其包括：衬底；层面，所述层面在所述衬底上方彼此上下叠放，所述层面包含相应的存储器单元和用于所述存储器单元的控制栅极，所述控制栅极包含最靠近所述衬底的控制栅极而非其它控制栅极，所述控制栅极包含共同形成阶梯结构的相应部分；导电触点，所述导电触点在所述阶梯结构的位置处与所述控制栅极接触，所述导电触点具有从所述衬底竖直延伸的不同长度，所述导电触点包含与所述控制栅极接触的导电触点；支撑结构，所述支撑结构邻近所述导电触点并且与所述控制栅极和所述导电触点电分离，所述支撑结构具有从所述衬底竖直延伸并延伸穿过所述控制栅极的至少一部分的长度，所述支撑结构包含最靠近所述导电触点的支撑结构而非其它支...

【专利技术属性】
技术研发人员：王哲威，L，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：