电容式感测NAND存储器中的存取操作制造技术

本申请涉及电容式感测NAND存储器中的存取操作。存储器可包含非易失性存储器单元、选择性地连接到所述非易失性存储器单元的电容、具有电容耦合到所述电容的电极的沟道的场效应晶体管，以及用于存取所述非易失性存储器单元且配置成使所述存储器进行以下操作的控制器：增加所述电容的所述电极的电压电平；响应于存储在所述非易失性存储器单元中的数据状态，通过所述非易失性存储器单元选择性地放电所述电容的所述电极的所述电压电平，以及响应于所述电容的所述电极的剩余电压电平，确定所述场效应晶体管是否被激活。述场效应晶体管是否被激活。述场效应晶体管是否被激活。

【技术实现步骤摘要】
电容式感测NAND存储器中的存取操作
[0001]相关申请
[0002]本申请与以下有关：标题为“电容式感测NAND存储器(Capacitive Sense NAND Memory)”且于2020年12月4日提交的第17/111,729号美国专利申请；标题为“用于电容式感测NAND存储器的存储器阵列结构(Memory Array Structures for Capacitive Sense NAND Memory)”且于2020年12月4日提交的第17/111,746号美国专利申请；及标题为“电容式感测NAND存储器中的感测线结构(Sense Line Structures in Capacitive Sense NAND Memory)”且于2020年12月4日提交的第17/111,751号美国专利申请，每个所述申请共同转让且以全文引用的方式并入本文中，并且每个所述申请共享共同的公开内容。


[0003]本公开大体上涉及集成电路，并且具体地说，在一或多个实施例中，本公开涉及包含经串联连接存储器单元串的设备及其形成和操作方法。

技术介绍
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其包括：非易失性存储器单元；电容，其选择性地连接到所述非易失性存储器单元；场效应晶体管，其中所述场效应晶体管包括控制栅极和沟道，并且其中所述场效应晶体管的所述沟道电容耦合到所述电容的电极；以及用于存取所述非易失性存储器单元的控制器，其中所述控制器在所述存储器的感测操作期间配置成使所述存储器进行以下操作：增加所述电容的所述电极的电压电平；响应于存储在所述非易失性存储器单元中的数据状态，通过所述非易失性存储器单元选择性地放电所述电容的所述电极的所述电压电平；以及响应于所述电容的所述电极的剩余电压电平，确定所述场效应晶体管是否被激活。2.根据权利要求1所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器增加所述电容的所述电极的所述电压电平包括所述控制器配置成使所述存储器将所述电容的所述电极的所述电压电平增加到配置成激活所述场效应晶体管的电压电平。3.根据权利要求1所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器增加所述电容的所述电极的所述电压电平包括所述控制器配置成使所述存储器通过所述非易失性存储器单元增加所述电容的所述电极的所述电压电平。4.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电容的所述电极是所述电容的第一电极，并且其中所述控制器配置成使所述存储器增加所述电容的所述电极的所述电压电平包括所述控制器配置成使所述存储器在所述电容的所述第一电极与所述非易失性存储器单元隔离时偏置所述电容的第二电极。5.根据权利要求1所述的存储器，其中所述场效应晶体管是通过门的第一场效应晶体管，所述通过门包括并联连接的所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。6.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电容包括多个经串联连接场效应晶体管，并且其中所述电容的所述电极包括所述多个经串联连接场效应晶体管中的每个场效应晶体管的沟道。7.一种存储器，其包括：多个非易失性存储器单元，包括多个经串联连接非易失性存储器单元串；多个第一数据线；第二数据线；源极；在所述第二数据线和所述源极之间串联连接的多个通过门，其中所述多个通过门中的每个通过门包括第一沟道、第二沟道、电容耦合到其第一沟道的第一控制栅极和电容耦合到其第二沟道的第二控制栅极；多个电容，其中，对于所述多个电容中的每个电容，所述电容的电极选择性地连接到所述多个经串联连接非易失性存储器单元串中的相应经串联连接非易失性存储器单元串，且所述电容的所述电极电容耦合到所述多个通过门中的相应通过门的所述第一沟道；以及用于存取所述非易失性存储器单元的控制器，其中所述控制器在所述存储器的感测操作期间配置成使所述存储器进行以下操作：
对于所述多个电容中的每个电容，增加所述电容的所述电极的电压电平；对于所述多个电容中的每个电容，响应于存储在其相应的经串联连接非易失性存储器单元串中的特定非易失性存储器单元中的数据状态，通过其相应的经串联连接非易失性存储器单元串选择性地放电所述电容的所述电极的所述电压电平；以及对于所述多个电容中的每个电容，响应于所述电容的所述电极的剩余电压电平，确定所述电容的所述相应通过门的所述第一控制栅极是否被激活。8.根据权利要求7所述的存储器，其中所述控制器进一步配置成针对特定电容，响应于确定所述特定电容的所述相应通过门的所述第一控制栅极是否被激活，确定存储在所述相应的经串联连接非易失性存储器单元串中的所述特定非易失性存储器单元中的所述数据状态。9.根据权利要求7所述的存储器，其中所述控制器配置成确定所述多个通过门中的特定通过门的所述第一控制栅极是否被激活包括所述控制器配置成确定在所述多个通过门中不为所述特定通过门的每个通过门的所述第二控制栅极被激活时所述特定通过门的所述第一控制栅极是否被激活。10.根据权利要求7所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器增加特定电容的所述电极的所述电压电平包括所述控制器配置成使所述存储器将所述特定电容的所述电极的所述电压电平增加到第一电压电平，并且其中所述控制器配置成使所述存储器选择性地放电所述特定电容的所述电极的所述电压电平包括所述控制器配置成使所述存储器将所述特定电容的所述电极的所述电压电平选择性地放电到低于所述第一电压电平的第二电压电平。11.根据权利要求10所述的存储器，其中所述第一电压电平配置成激活电容耦合到所述特定电容的所述电极的所述相应通过门的所述第一控制栅极，并且其中所述第二电压电平配置成撤销激活电容耦合到所述特定电容的所述电极的所述相应通过门的所述第一控制栅极。12.根据权利要求7所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器针对所述多个电容中的每个电容确定所述电容的所述相应通过门的所述第一控制栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：福住嘉晃，藤木润，田中秋二，吉田政史，西户雅信，蒲田佳彦，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：