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本申请涉及电容式感测NAND存储器中的存取操作。存储器可包含非易失性存储器单元、选择性地连接到所述非易失性存储器单元的电容、具有电容耦合到所述电容的电极的沟道的场效应晶体管，以及用于存取所述非易失性存储器单元且配置成使所述存储器进行以下操作...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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