在上电期间限制调节器过冲制造技术

本申请涉及在上电期间限制调节器过冲。在一些实例中，存储器装置可以基于通过外部电源向所述存储器装置的端子施加第二电压而在存储器装置的放大器的第一输入节点处产生第一电压。所述存储器装置可以在所述放大器的第二节点处产生与所述第一电压偏移的第三电压，其中所述第二节点与第一共源共栅晶体管的第一栅极和第二共源共栅晶体管的第二栅极耦合。所述存储器装置可以基于在所述放大器的所述第二节点处产生所述第三电压而激活所述放大器。二节点处产生所述第三电压而激活所述放大器。二节点处产生所述第三电压而激活所述放大器。

【技术实现步骤摘要】
在上电期间限制调节器过冲
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求徐(Xu)等人于2020年12月7日提交的题为“在上电期间限制调节器过冲(LIMITING REGULATOR OVERSHOOT DURING POWER UP)”的第17/114,321号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请已转让给本专利的受让人，并以全文引用的方式明确并入本文中。


[0003]本
涉及在上电期间限制调节器过冲。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可被编程为两个支持状态之一，通常由逻辑1或逻辑0来表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，可存储所述状态中的任一者。为了存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
[0005]存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置的放大器，其包括：第一共源共栅晶体管，其与所述放大器的第一节点耦合；第二共源共栅晶体管，其经由所述放大器的所述第一节点与所述第一共源共栅晶体管耦合；以及开关装置，其与所述第一共源共栅晶体管的第一栅极、所述第二共源共栅晶体管的第二栅极耦合并且与所述放大器的第二输入节点耦合，其中所述开关装置经配置以在所述第一节点处产生与施加到所述第二输入节点的第二电压偏移的第一电压，其中所述第二电压与对应于外部电源的第三电压相关联，并且其中所述放大器经配置以至少部分基于所述开关装置在所述第一节点处产生所述第一电压而被激活。2.根据权利要求1所述的放大器，其进一步包括：电流发生器，其经由所述放大器的所述第一节点与所述开关装置耦合，且经配置以向所述放大器的所述第一节点供应电流，其中所述开关装置经配置以至少部分基于所述电流发生器向所述放大器的所述第一节点供应电流而在所述第一节点处产生所述第一电压。3.根据权利要求1所述的放大器，其中所述第一节点与所述开关装置的第一端子和所述开关装置的第二端子耦合，并且其中所述第二输入节点与所述开关装置的第三端子耦合。4.根据权利要求3所述的放大器，其中所述开关装置的所述第一端子包括所述开关装置的源极或漏极中的一者，所述开关装置的所述第三端子包括所述开关装置的所述源极或漏极中的另一者，并且所述开关装置的所述第二端子包括所述开关装置的栅极。5.根据权利要求1所述的放大器，其进一步包括：晶体管，其与所述第一共源共栅晶体管的源极或漏极中的一者和第二输入节点耦合。6.根据权利要求5所述的放大器，其中所述晶体管的栅极与所述第二输入节点耦合，并且所述晶体管的源极或漏极中的一者与所述第一共源共栅晶体管耦合。7.根据权利要求1所述的放大器，其中所述开关装置包括共源共栅晶体管、晶体管、二极管或其任何组合。8.根据权利要求1所述的放大器，其中所述存储器装置包括动态随机存取存储器装置。9.一种存储器装置，其包括：放大器，其包括：第一共源共栅晶体管，其与所述存储器装置的所述放大器的第一节点耦合；第二共源共栅晶体管，其经由所述放大器的所述第一节点与所述第一共源共栅晶体管耦合；开关装置，其经由所述第一节点与所述第一共源共栅晶体管的第一栅极、所述第二共源共栅晶体管的第二栅极耦合并且与所述放大器的第二输入节点耦合；以及控制器，其与所述放大器耦合并且能用于使所述存储器装置进行以下操作：至少部分基于由外部电源向所述存储器装置的端子施加第二电压而在所述第二输入节点处产生第一电压，其中所述开关装置经配置以在所述放大器的所述第一节点处产生与所述第一电压偏移的第三电压；以及至少部分基于在所述放大器的所述第一节点处产生所述第三电压而激活...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐飞，褚炜路，潘栋，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：