光刻装置及其中的基底传输方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光刻装置及其中的基底传输方法，所述光刻装置包括工件台以及基底传送装置，所述基底传送装置用于传送基底，所述基底传送装置包括基底传送板叉，所述基底传送板叉包括板叉臂、吸附组件以及驱动组件。所述板叉臂上设置有至少两个吸附组件，通过这种在所述板叉臂上设置多个吸附组件的结构，可在不增加板叉臂长度的基础上实现传送多块基底的功能，有效提高了光刻装置的产率。有效提高了光刻装置的产率。有效提高了光刻装置的产率。

【技术实现步骤摘要】
光刻装置及其中的基底传输方法


[0001]本专利技术涉及光刻
，尤其是涉及一种光刻装置及其中的基底传输方法。

技术介绍

[0002]在光刻机等众多半导体设备中，基底传送进曝光工位时需要经过传输工位进行交接。一般需要在曝光工位前设置一个传输工位，将基底传送到曝光位置。在现有的光刻机中，基底传送板叉大多传送1500mm*1850mm的基底，并不具备传送两块1500mm*925mm基底的能力。限于目前技术水平，产线上蒸镀机最大只能处理1500mm*925mm规格尺寸的基底，为了提高产线整体效率，需要光刻机可以直接曝光出1500mm*925mm的基底。
[0003]另外，由于需求的差异或者工艺需要，产线与辊轮台交接每次只进行单块1500mm*925mm基底的传送，这就要求基底传送板叉可以把两块1500mm*925mm基底分两次传送到工件台上。因此，需要基底传送板叉能够往工件台上传送两块1500mm*925mm的基底，进行曝光。为了可以传送两块基底，如果利用现有的技术方案，只能增加板叉臂的长度，这就使得悬臂的总长变大；由于受空间尺寸约束以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻装置，其特征在于，包括工件台以及基底传送装置，所述基底传送装置用于传送基底，所述基底传送装置包括基底传送板叉；所述基底传送板叉包括板叉臂、吸附组件以及驱动组件；所述驱动组件设置于所述板叉臂上，所述吸附组件设置于所述驱动组件上，所述吸附组件用于吸附或释放所述基底，所述驱动组件用于驱动所述吸附组件以使所述吸附组件位于吸附工位或避让工位，当所述吸附组件位于所述吸附工位时，所述吸附组件吸附所述基底，当所述吸附组件位于所述避让工位时，所述吸附组件释放所述基底；所述吸附组件的数量为至少两个，至少两个所述吸附组件间隔设置在所述板叉臂上，每个所述吸附组件或至少两个吸附组件配合以吸附或释放一个所述基底；每个驱动组件用于分别驱动一个对应的所述吸附组件。2.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述工件台上具有若干个工位，所述基底传送板叉用于将基底传送至所述工件台上对应的工位上，或将所述基底从工件台上传送走，或在所述基底未位于对应工位时，移动所述基底以使将所述基底传送到对应工位上。3.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述板叉臂的数量为两个，所述吸附组件沿Y方向布置，所述Y方向与所述板叉臂的延伸方向相同。4.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述驱动组件包括限位板、限位螺钉以及升降气缸；所述限位板设置在所述安装板上，所述限位螺钉设置所述限位板上以调节所述升降气缸的伸出距离。5.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述吸附组件包括吸盘、吸盘座以及气路接头；所述吸盘座设置在升降气缸的滑块上，并随所述滑块做升降运动；所述吸盘设置在所述吸盘座上，并用于吸附所述基底；所述气路接头设置在所述吸盘座上，用于给所述吸盘提供真空吸附。6.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述吸附组件包括第一前基底吸附组件；所述第一前基底吸附组件还包括互锁传感器；所述互锁传感器用于判断所述第一前基底吸附组件是否进入工件台中，当检测到所述工件台的侧壁时，所述基底传送板叉停止X方向的运动，所述X方向垂直于所述板叉臂的延伸方向。7.如权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述吸附组件还包括第二前基底吸附组件；所述第二前基底吸附组件还包括防碰撞传感器；所述防碰撞传感器用于判断所述基底传送板叉是否与工件台的板叉槽位置对准，并在检测到未对准时，所述基底传送板叉停止Y方向的运动，所述Y方向与所述板叉臂的延伸方向相同。8.如权利要求7所述的光刻装置，其特征在于，所述防碰撞传感器的数量为两个；两个所述防碰撞传感器分别设置在所述板叉臂的两侧，当两个所述防碰撞传感器中任意一个被触发时，则判断所述基底传送板叉与工件台的板叉槽位置未对准。
9.一种光刻装置中的基底传输方法，其特征在于，包括将基底从上板台转移到工件台上的上板步骤，所述上板步骤包括：基底传送板叉吸附若干个基底并将若干个所述基底放置到所述上板台上；所述基底传送板叉运动到工件台工位；所述基底传送板叉释放若干个所述基底；所述基底传送板叉返回所述上板台上；其中，每次所述上板步骤中传送一个所述基底或至少两个基底或少于所述工件台中工位数量的基底，且仅参与吸附所述基底的吸附组件位于吸附工位，其余所有吸附组件均位于避让工位。10.如权利要求9所述的光刻装置中的基底传输方法，其特征在于，所述上板步骤还包括：若所述工件台上的所述基底中存在待调整基底时，则进行二次调整，所述待调整基底为未被传送到对应工位的基底。11.如权利要求10所述的光刻装置中的基底传输方法，其特征在于，所述二次调整包括：所述基底传送板叉带动所述待调整基底在所述工件台的工件位间进行运动以传送所述待调整基底到所述工件台上对应的工位上；其中，在进行所述二次调整过程中，所述基底传送板叉上除了用于吸附所述待调整基底的吸附组件位于所述吸附工位，其余所有吸附组件均位于避让工位。12.如权利要求9所述的光刻装置中的基底传输方法，其特征在于，在每次所述上板步骤中传送至少两块基底；其中，在每次所述上板步骤时，所述基底传送板叉上所有...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴福龙，阮冬，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
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