晶圆扫描路径的优化方法、系统、设备及晶圆检测方法技术方案

本发明专利技术提供一种晶圆扫描路径的优化方法、系统、设备及晶圆检测方法，属于半导体晶圆检测技术领域，该晶圆扫描路径的优化方法通过根据待扫描区域、扫描成像视野和重叠区域的限制条件作为恒定参量，以扫描数量和实际重叠区域作为需要优化的参量，建立不等式模型；并通过对该不等式模型进行整数求解，获得相同条件下，扫描的图片数量最少、同时相邻的两个成像视野的重叠区域最大的扫描路径的规划。该方法无需做任何的硬件改动，可以有效节省整体晶圆的扫描时间，并减少成像视野图像的处理数量和储存容量。储存容量。储存容量。

【技术实现步骤摘要】
晶圆扫描路径的优化方法、系统、设备及晶圆检测方法


[0001]本专利技术属于半导体晶圆检测
，具体涉及一种晶圆扫描路径的优化方法、系统、设备及晶圆检测方法。

技术介绍

[0002]在半导体晶片加工制造过程中，晶圆是其中最主要的材料，在市面上90％以上的电子设备是基于晶圆制造而成。由此，晶圆的产能对整个集成电路行业具有非常大的影响。目前主流的晶圆为300mm(12英寸)、200mm(8英寸)、150mm(6英寸)和100mm(4英寸)，其中12英寸的晶圆的市场份额已经达到了78％，成为市场的主流。由于晶圆表面直接影响到器件的加工性能，因此该表面是不允许存在任何缺陷；在工业生产过程中，需要检测系统进行实时检测，存在检测难度高的问题，现有技术一般采用的是非接触式的光学检测。
[0003]在进行非接触式的光学检测过程中，由于晶圆的尺寸比较大，因此一般的光学系统在兼顾最小检测精度的前提下，都是无法直接得到一个完整的晶圆图像，只能得到一个局部视野的图像。因此，为了得到完整的晶圆图像，一般采用扫描拍摄技术：根据晶圆的大小，规划一个扫描路径，以多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆扫描路径的优化方法，其特征在于，包括：获取待扫描晶圆所在区域的图像，确定图像中所述晶圆的外轮廓边缘在水平方向上的外接矩形，并将所述外接矩形向外扩大得到所述晶圆的待扫描区域；设定扫描装置的成像视野在第一方向和第二方向上的宽度；以及设定相邻成像视野间最小重叠区域在第一方向和第二方向上的宽度；以第一方向上所述待扫描区域、成像视野、以及相邻成像视野间最小重叠区域的宽度作为恒定参量，以第一方向上所述成像视野的成像数量、以及相邻成像视野间实际重叠区域的宽度作为优化参量，建立第一不等式组；以所述第一不等式组为约束条件，得到当前待扫描区域中所有成像视野在第一方向上的最优聚焦坐标，并由此得到各个成像视野在第一方向上的第一分布区域；分别在各个所述第一分布区域中提取与所述晶圆图像完全重叠的最小矩形区域为第二分布区域；以第二方向上各个所述第二分布区域、成像视野、以及相邻成像视野间最小重叠区域的宽度作为恒定参量，以第二方向上所述成像视野的成像数量、以及相邻成像视野间实际重叠区域的宽度作为优化参量，建立相应的第二不等式组；以所述第二不等式组为约束条件，得到各个所述第二分布区域中所有成像视野的最优聚焦位置，并根据其最优聚焦位置形成扫描路径。2.根据权利要求1所述的晶圆扫描路径的优化方法，其特征在于，所述以第一方向上所述待扫描区域、成像视野、以及相邻成像视野间最小重叠区域的宽度作为恒定参量，以第一方向上所述成像视野的成像数量、以及相邻成像视野间实际重叠区域的宽度作为优化参量，建立第一不等式组，包括：根据第一方向上所述实际重叠区域的宽度大于或者等于所述最小重叠区域的宽度建立第一优化不等式；根据第一方向上各个所述成像视野间中非重叠区域的宽度总和大于或者等于所述待扫描区域的宽度建立第二优化不等式。3.根据权利要求1所述的晶圆扫描路径的优化方法，其特征在于，所述以第二方向上各个所述第二分布区域、成像视野、以及相邻成像视野间最小重叠区域的宽度作为恒定参量，以第二方向上所述成像视野的成像数量、以及相邻成像视野间实际重叠区域的宽度作为优化参量，建立相应的第二不等式组，包括：根据第二方向上所述实际重叠区域的宽度大于或者等于所述最小重叠区域的宽度建立第三优化不等式；根据第二方向上各个所述成像视野间中非重叠区域的宽度总和大于或者等于当前所述第二分布区域的宽度建立第四优化不等式。4.根据权利要求1所述的晶圆扫描路径的优化方法，其特征在于，所述以所述第一不等式组为约束条件，得到当前待扫描区域中所有成像视野在第一方向上的最优聚焦坐标，包括：计算得到第一方向上成像视野的成像数量、以及相邻成像视野间实际重叠区域的宽度，并由此确定各个成像视野在第一方向上的最优聚焦坐标。5.根据权利要求1所述的晶圆扫描路径的优化方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张胜森，刘荣华，
申请(专利权)人：武汉精测电子集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：