保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及带保护膜的小片的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于使用切割刀切断半导体晶圆等工件与保护膜形成用膜而制造带保护膜的小片时，能够抑制产生崩边。本发明专利技术的保护膜形成用膜(1)包含填料(2)，在该膜(1)的剖面观察中，将膜的总厚度设为T时，且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域，在第一区域中所观察到的填料的50％累计粒径D

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及带保护膜的小片的制造方法


[0001]本专利技术涉及能够在半导体晶圆等工件或或对这些工件进行加工而得到的加工物(例如，半导体芯片)上形成保护膜的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，以及使用这些保护膜形成用膜或保护膜形成用复合片而得到的带保护膜的半导体芯片等带保护膜的小片(small pieces)的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，采用被称为所谓倒装(face down)方式的安装方法进行半导体装置的制造。在该方法中，在安装具有形成了凸点(bump)等电极的电路面的半导体芯片时，将半导体芯片的电路面侧接合在引线框架(lead frame)等的芯片搭载部。因此，形成露出未形成有电路的半导体芯片的背面侧的结构。
[0003]因此，大多会在半导体芯片的背面侧形成由硬质的有机材料构成的保护膜以对半导体芯片进行保护。该保护膜为使用例如专利文献1或专利文献2中示出的包含被称为半导体背面用膜的保护膜形成用膜的切割片而形成。
[0004]利用包含保护膜形成用膜的切割片在半导体芯片等上形成保护膜时，在半导体晶圆的背面贴附切割片上的保护膜形成用膜。接着，使用切割刀等切断半导体晶圆和保护膜形成用膜，得到半导体芯片与同其相同形状的保护膜形成用膜的层叠体。为了控制保护膜的强度及固化时的收缩并赋予激光打标性，在成为保护膜的保护膜形成用膜中掺合有填料。现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
9711号公报专利文献2：日本特开2011r/>‑
151360号公报

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0006]在切割半导体晶圆而得到的半导体芯片等中，有时会在切割时产生裂纹等。这也被称为崩边，会造成半导体芯片的抗弯强度下降、故障。虽然崩边的形态多种多样，但有时会从半导体芯片的背面侧至表面侧产生条纹状的裂纹。
[0007]本申请的专利技术人对该条纹状裂纹的产生原因进行了研究后，认为原因在于切割时的冲击引起的切割刀的晃动。利用切割刀切断半导体晶圆及保护膜形成用膜时，刀片从半导体晶圆的表面侧进入，切断晶圆后，刀片切断保护膜形成用膜。由于保护膜形成用膜中含有填料和树脂，在切断硬质的填料时与切断软质的树脂时，施加在刀片上的载荷不同，刀片发生晃动、振动。认为其结果为刀片碰撞芯片的切割面，从而产生裂纹。
[0008]特别是在切断大颗的填料时容易发生刀片的晃动。因此，认为通过减小保护膜形
成用膜中所掺合的填料的粒径，能够抑制刀片的晃动、振动。但是，若减小保护膜形成用膜中所掺合的填料的粒径，则保护膜形成用膜的支撑性下降，刀片变得易于振动，无法充分减少崩边。此外，若减小保护膜形成用膜中所掺合的填料的粒径，则即使对保护膜形成用膜或作为其固化物的保护膜实施激光打标，也无法获得充分的对比度，标记的识别性下降。因此，本专利技术的目的在于在使用切割刀切断半导体晶圆等工件和保护膜形成用膜而制造带保护膜的半导体芯片等带保护膜的小片时，抑制崩边的产生。解决技术问题的技术手段
[0009]为了实现上述目的，进行了认真研究后，发现通过在进入保护膜形成用膜的刀片最初所接触的保护膜形成用膜的上部区域(与工件的粘合部)掺合粒径较小的填料，在保护膜形成用膜的下部区域(与切割片的层叠部)掺合粒径较大的填料，能够抑制切割时刀片的晃动、振动。此外，认为通过在保护膜形成用膜的下部(保护膜的露出面)掺合粒径较大的填料，还能够充分地保持激光打标性。因此，为了实现上述目的，本专利技术包含以下要点。
[0010](1)一种保护膜形成用膜，其包含填料，在该膜的剖面观察中，将膜的总厚度设为T时，且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域时，在第一区域中所观察到的填料的50％累计粒径D
50
1与在第二区域中所观察到的填料的50％累计粒径D
50
2满足下述关系：D
50
1<D
50
2、且(D
502‑
D
50
1)/D
501×
100≥5(％)。(2)根据(1)所述的保护膜形成用膜，其中，包含两层以上的构成层。(3)根据(1)或(2)所述的保护膜形成用膜，其中，所述填料为无机填料。(4)根据(3)所述的保护膜形成用膜，其中，所述无机填料为二氧化硅填料。(5)根据(1)～(4)中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，所述第一区域侧的表面贴附于工件。(6)一种保护膜形成用复合片，其具备层叠基材与粘着剂层而成的粘着片、与层叠在所述粘着片的所述粘着剂层侧的(1)～(5)中任一项所述的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片通过将所述保护膜形成用膜的第二区域侧的表面层叠于所述粘着剂层而成。(7)一种带保护膜的小片的制造方法，其包含以下的工序(1)～(4)：工序(1)：将上述(6)所述的保护膜形成用复合片的保护膜形成用膜的第一区域侧的表面贴附于工件的工序；工序(2)：将保护膜形成用膜加热固化从而得到保护膜的工序；工序(3)：对工件及保护膜形成用膜或保护膜进行切割，从而得到被单颗化成相同形状的小片与保护膜形成用膜或保护膜的层叠体的工序；以及工序(4)：将保护膜形成用膜或保护膜与粘着片分离的工序。专利技术效果
[0011]根据本专利技术的保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片，能够抑制利用切割刀对工件与保护膜形成用膜的层叠体进行切割时刀片的晃动、振动，从而能够减少有时从半导体芯片的背面侧至表面侧所产生的条纹状的裂纹。
附图说明
[0012]图1为本专利技术的一个实施方案的保护膜形成用膜的部分剖面的示意图。图2为本专利技术的一个实施方案的保护膜形成用复合片的剖面图。图3为本专利技术的另一个实施方案的保护膜形成用复合片的剖面图。图4为示出本专利技术的一个实施方案的保护膜形成用复合片的使用例的剖面图。
具体实施方式
[0013]以下，对本专利技术进行具体说明。首先，对本说明书中所使用的主要术语进行说明。(甲基)丙烯酸酯是指用于表示“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的术语，其他类似术语也相同。
[0014]粘着片是指包含基材与粘着剂层的层叠体，其还可以包含除此以外的其他构成层。例如，可以是在基材与粘着剂层之间具备中间层的构成，也可以在粘着剂层侧的基材表面形成用于提高基材表面与粘着剂层的界面、或基材表面与中间层的界面处的密合性或防止低分子量成分转移等的底涂层，还可以在粘着剂层的表面层叠直至使用时为止用于保护粘着剂层的剥离膜。此外，基材可以是单层，也可以是具备缓冲层等功能层的多个层。
[0015]切割片是指在按照每个电路将晶圆单颗化成芯片时用于保持晶圆及芯片的粘着片。
[0016]保护膜形成用膜为用于在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上形成保护膜的膜。保护膜可以是未固化的保护膜形成用膜，优选由固化后的保护膜形成用膜构成。作为工件，例如可列举出半导体晶圆等，作为对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种保护膜形成用膜，其包含填料，其中，在该膜的剖面观察中，将膜的总厚度设为T时，且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域时，在第一区域中所观察到的填料的50％累计粒径D
50
1与在第二区域中所观察到的填料的50％累计粒径D
50
2满足下述关系：D
50
1<D
50
2、且(D
502‑
D
50
1)/D
501×
100≥5(％)。2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其包含两层以上的构成层。3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，所述填料为无机填料。4.根据权利要求3所述的保护膜形成用膜，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐伯尚哉，山本大辅，米山裕之，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：