用于更大范围的操作温度产品的非线性温度补偿制造技术

一种用于操作本文中所公开的非易失性存储装置的方法。所述方法包括对一组非易失性存储元件执行操作。对所述组非易失性存储元件的所述操作包含基于所述组非易失性存储元件的操作温度提供温度补偿。所述提供温度补偿包含确定所述操作温度是否在恒定补偿有效的温度范围之外以及基于所述确定应用所述温度补偿。范围之外以及基于所述确定应用所述温度补偿。范围之外以及基于所述确定应用所述温度补偿。

【技术实现步骤摘要】
用于更大范围的操作温度产品的非线性温度补偿


[0001]本申请涉及非易失性存储器设备和非易失性存储器设备的操作。

技术介绍

[0002]本章节提供关于与本公开相关联的技术的背景信息，且因此不一定是现有技术。
[0003]半导体存储器设备已变得越来越普遍用于各种电子装置中。举例来说，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算装置、非移动计算装置和其它装置中。
[0004]电荷存储材料(例如浮动栅极)或电荷捕获材料可用于这类存储器设备中以存储表示数据状态的电荷。电荷捕获材料可以竖直地布置在三维(three
‑
dimensional，3D)堆叠存储器结构中，或水平地布置在二维(two
‑
dimensional，2D)存储器结构中。3D存储器结构的一个实例为位成本可扩展(Bit Cost Scalable，BiCS)架构，所述架构包括交替的导电层和电介质层的堆叠。

技术实现思路

[0005]本章节提供对本公开的大体概述，且并非是其完整范围或所有其特征和优点的全面公开内容。
[0006]本公开的一目标是提供解决和克服本文中所描述的缺点的一种存储器设备和一种操作存储器设备的方法。
[0007]本文中公开一种用于操作非易失性存储装置的方法。方法包括：将数据编程到一组非易失性存储元件中；以及在编程之后从所述组非易失性存储元件读取数据。数据的读取包含基于所述组非易失性存储元件的操作温度提供温度补偿。提供温度补偿包含确定操作温度是否在所述组非易失性存储元件的特性为线性所处于的温度范围之外以及基于所述确定应用温度补偿。
[0008]此外，本文中公开一种存储器装置。存储器装置包括：一组非易失性存储元件；以及控制电路，其配置成：对一组非易失性存储元件执行操作，对所述组非易失性存储元件的操作包含基于所述组非易失性存储元件的操作温度提供温度补偿，提供温度补偿包含确定操作温度是否在恒定补偿有效的温度范围之外以及基于所述确定应用温度补偿。
[0009]另外，一种控制电路耦合到多个存储器单元且配置成：对多个存储器单元中的一组存储器单元执行操作，对所述组存储器单元的操作包含基于所述组存储器单元的操作温度提供温度补偿，提供温度补偿包含确定操作温度是否在恒定补偿有效的温度范围之外以及基于所述确定应用温度补偿。
[0010]其它适用范围将因本文提供的描述而变得显而易见。这一概述中的描述和特定实例预期仅出于说明的目的，并且并不希望限制本公开的范围。
附图说明
[0011]为了详细描述示例实施例，现将参考随附图式，其中：
[0012]图1A为示例存储器装置的框图；
[0013]图1B为包括编程电路、计数电路和确定电路的示例控制电路的框图；
[0014]图2描绘图1的存储器阵列的示例二维配置中的存储器单元块；
[0015]图3A描绘NAND串中的示例浮动栅极存储器单元的横截面图；
[0016]图3B描绘沿着线329的图3A的结构的横截面图；
[0017]图4A描绘NAND串中的示例电荷捕获存储器单元的横截面图；
[0018]图4B描绘沿着线429的图4A的结构的横截面图；
[0019]图5A描绘图1的感测块SB1的示例框图；
[0020]图5B描绘图1的感测块SB1的另一示例框图；
[0021]图6A为图1的存储器阵列的示例三维配置中的块集合的透视图；
[0022]图6B描绘图6A的块中的一个的一部分的示例横截面图；
[0023]图6C描绘图6B的堆叠中的存储器孔直径的曲线图；
[0024]图6D描绘图6B的堆叠的区622的近距视图；
[0025]图7A描绘图6B的堆叠的示例字线层WLL0的俯视图；
[0026]图7B描绘图6B的堆叠的示例顶部电介质层DL19的俯视图；
[0027]图8A描绘图7A的子块SBa到SBd中的示例NAND串；
[0028]图8B描绘子块中的NAND串的另一示例图；
[0029]图8C描绘堆叠的示例字线层的俯视图；
[0030]图9描绘具有四个数据状态的示例单程编程操作中的存储器单元的Vth分布；
[0031]图10描绘具有八个数据状态的示例单程编程操作中的存储器单元的Vth分布；
[0032]图11描绘具有十六个数据状态的示例单程编程操作中的存储器单元的Vth分布；
[0033]图12为存储器装置中的示例编程操作的流程图；
[0034]图13A和13B描绘存储器单元的Vth分布；
[0035]图14描绘单元特性和温度补偿系数的示例曲线图。
[0036]图15为根据本文中所描述的实施例的用于实施非线性温度补偿方法的方法的流程图；
[0037]图16展示非线性温度补偿方法的示例实施方案的曲线图；
[0038]图17展示非线性温度补偿方法的示例实施方案的曲线图。
具体实施方式
[0039]在以下描述中，阐述细节以提供对本公开的理解。在一些情况下，未详细描述或展示特定电路、结构和技术以免使本公开模糊不清。
[0040]一般来说，本公开涉及非常适于在许多应用中使用的类型的非易失性存储器设备。将结合一或多个示例实施例描述本公开的非易失性存储器设备和相关形成方法。然而，提供所公开的特定示例实施例仅为了足够清晰地描述本专利技术概念、特征、优点和目标以准许所属领域的技术人员理解和实践本公开。确切地说，提供示例实施例以使得本公开将是全面的，并且将把范围充分传达给所属领域的技术人员。列举大量具体细节，例如特定组
cell，QLC))中，存在包含擦除状态和十五个较高数据状态(称作Er、1、2、3、4、5、6、7、8、9、A、B、C、D、E和F数据状态(参看图11))的十六个数据状态。每一存储器单元可存储数据状态(例如，二进制值)且编程成对应于数据状态的阈值电压状态。每一状态表示不同值，且指派包含可能阈值电压范围的电压窗。
[0047]在发出编程命令时，写入数据存储在与存储器单元相关联的锁存器中。在编程期间，可读取存储器单元的锁存器以确定数据状态，单元将编程为所述数据状态。每一已编程数据状态与验证电压相关联，使得在感测操作确定具有给定数据状态的存储器单元的阈值电压(Vth)高于相关联验证电压时认为所述存储器单元已完成编程。感测操作可通过将相关联验证电压施加到控制栅极且感测穿过存储器单元的电流来确定存储器单元是否具有高于相关联验证电压的Vth。如果电流相对较高，那么这指示存储器单元处于导电状态中，使得Vth小于控制栅极电压。如果电流相对较低，那么这指示存储器单元处于非导电状态中，使得Vth高于控制栅极电压。
[0048]用于确定存储器单元已完成编程的验证电压可称作最终或锁定验证电压。在一些情况下，额外验证电压可用于确定存储器单元即将完成编程。这种额外验证电压可称作偏移验证电压，且可低于最终验证电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于操作非易失性存储装置的方法，其包括：对一组非易失性存储元件执行操作，对所述组非易失性存储元件的所述操作包含基于所述组非易失性存储元件的操作温度提供温度补偿，所述提供温度补偿包含确定所述操作温度是否在恒定补偿有效的温度范围之外以及基于所述确定应用所述温度补偿。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供温度补偿包含：响应于确定所述操作温度在所述温度范围内，使用恒定补偿值应用所述温度补偿，所述恒定补偿值对于所述温度范围内的每一温度具有相同值。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述提供温度补偿包含：响应于确定所述操作温度在所述温度范围之外，使用另一补偿值应用所述温度补偿，所述另一补偿值具有不同于所述恒定补偿值的值。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供温度补偿包含：确定所述操作温度高于所述温度范围的上限；以及使用补偿值应用所述温度补偿，所述补偿值具有比应用于所述温度范围内的每一温度的恒定补偿值更高的值。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供温度补偿包含：确定所述操作温度低于所述温度范围的下限；以及使用补偿值应用所述温度补偿，所述补偿值具有比应用于所述温度范围内的每一温度的恒定补偿值更低的值。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供温度补偿包含：确定所述组非易失性存储元件的所述操作温度。7.根据权利要求1所述的方法，其中对所述组非易失性存储元件执行所述操作包含：感测来自所述组非易失性存储元件的所述操作温度；基于所述操作温度在所述感测之后应用所述温度补偿；以及基于所述感测和所述应用对所述组非易失性存储元件执行所述操作。8.一种存储器装置，其包括：一组非易失性存储元件；以及控制电路，其配置成：对一组非易失性存储元件执行操作，对所述组非易失性存储元件的所述操作包含基于所述组非易失性存储元件的操作温度提供温度补偿，所述提供温度补偿包含确定所述操作温度是否在恒定补偿有效的温度范围之外以及基于所述确定应用所述温度补偿。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述控制电路配置成：响应于确定所述操作温度在所述温度范围内，使用恒定补偿值应用所述温度补偿，所述恒定补偿值对于所述温度范围内的每一温度具有相同值。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述控制电路配置成：响应于确定所述操作温度在所述温度范围之外，使用另一补偿值应用所述温度补偿，所述另...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世忠，佐野源毅，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：