一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件制造技术

本发明专利技术涉及一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，属于MOSFET器件技术领域。本发明专利技术公开了一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，通过在栅极下表面引入分裂栅和沟道MOS二极管：分裂栅屏蔽了栅极与漏极的耦合面积，大幅降低了器件的反馈电容和栅极电荷，提高器件的开关速度；与此同时，在反向恢复时，沟道二极管抑制了寄生PN结二极管的开启，大幅降低了寄生PN结二极管空穴的注入效率，从而降低了反向恢复电荷、反向峰值电流和反向恢复时间，最终改善了器件的反向恢复性能。因此，本发明专利技术的槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件对于传统的MOSFET器件在开关性能和反向恢复性能方面进行了改善。性能方面进行了改善。性能方面进行了改善。

【技术实现步骤摘要】
一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件


[0001]本专利技术属于MOSFET器件
，涉及一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件。

技术介绍

[0002]功率半导体器件承担着开关、驱动以及整流器的作用，功率MOSFET具有开关转换频率高，输入阻抗大，热稳定性好等优良特性，而节能先进的功率MOSFET逐渐成为我国信息产业和效能经济的重要基石。功率MOSFET的应用在日常生活、各个行业非常广泛，有现代电子芯片的地方就有功率MOSFET，它是电子芯片安全高效且精确处理信息的重要一环。随着半导体行业在技术和工艺上的不断优化，不仅要求功率器件的静态特性优良，同样也要求其动态特性更好，故而对开关速度和开关损耗有了更高的要求。在传统MOSFET器件上，通过结构改进，已经设计出Silicon
‑
Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(分裂栅金属氧化物半导体器件，简称SG
‑
MOS器件)、MOSTET With Built
‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件为左右对称结构，所述MOSFET器件从下到上依次包括漏极(11)、漏极N+区(10)、N
‑
drift区(9)、JFET区(7)、源极P
‑
base区(3)和源极(1)；所述MOSFET器件两侧分别设置有沟道二极管P
‑
base(6)，所述沟道二极管P
‑
base(6)的上表面一侧与源极(1)相连、另一侧与氧化层(8)相连，其余部分与JFET区(7)相连；所述沟道二极管P
‑
base(6)中设置有沟道二极管N+区(5)，所述沟道二极管N+区(5)的上表面的一侧与源极(1)相连，另一侧与氧化层(8)相连，沟道二极管包含沟道二极管N+区(5)和沟道二极管P
‑
base(6)；所述源极P
‑
base区(3)的两侧分别设置有氧化层(8)，所述氧化层(8)的其余部分与源极(1)相连，所述氧化层(8)中设置有栅极(4)，所述栅极(4)为分裂栅；所述源极P
‑
base区(3)的两端分别设置有两个不相连的源极N+区(2)，所述源极N+区(2)的上表面与源极(1)相连，一侧与氧化层(8)相连。2.根据权利要求1所述的槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，其特征在于，所述源极P
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟中，牟柳亭，秦海峰，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：