一种具有低比导通电阻的SiCMOSFET器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件，包括形成于N型重掺杂半导体衬底之上的N型半导体漂移区；形成于N型半导体漂移区表面的P阱区和JFET区形成于P阱区表面的P型重掺杂半导体体接触区和N型重掺杂半导体源区；形成于N型重掺杂半导体源区、P阱区和JFET区之上的包括氧化层和多晶硅的平面栅结构。在P型重掺杂半导体体接触区和P阱区侧面引入一个包括绝缘介质和导电材料的侧壁倾斜一定角度且延伸至N型半导体漂移区的沟槽屏蔽栅结构，屏蔽栅与源电极短接；并在沟槽屏蔽栅结构底部和侧面引入P型掺杂区辅助耗尽漂移区，提高漂移区浓度，有利于降低器件比导通电阻，改善器件性能。改善器件性能。改善器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于功率半导体器件
，具体涉及一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着科学技术的日益发展，传统硅基功率的性能已经接近理论极限，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料呈现出更优的电热学特性，引起了广泛关注与深入研究。SiC MOSFET(Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)得益于其高击穿电压、开关速度、热导率以及低导通电阻和开关损耗等特点，迅速发展并成功应用于功率系统领域。
[0003]由于SiC MOSFET在高频、高温、高功率密度条件下的巨大应用前景，如何进一步提升SiC MOSFET的性能优势成为国内外学术界和工业界重点关注的问题。对广泛应用的功率MOSFET的要求是更高的反向击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度。本专利技术可以在传统SiC MOSFET的基础上，降低SiC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件的结构包括N型重掺杂半导体衬底(1)；形成于所述N型重掺杂半导体衬底(1)之上的N型半导体漂移区(2)和形成于N型半导体漂移区(2)之上的N型半导体漂移区(3)，N型半导体漂移区(2)和N型半导体漂移区(3)的掺杂浓度不等；形成于所述N型半导体漂移区(3)表面的P阱区(8)和JFET区(12)；形成于所述P阱区(8)表面的P型重掺杂半导体体接触区(9)和N型重掺杂半导体源区(10)；形成于所述N型重掺杂半导体源区(10)、P阱区(8)和JFET区(12)之上的包括氧化层(5)和多晶硅(7)的平面栅结构，由所述多晶硅(7)引出栅电极；由所述P型重掺杂半导体体接触区(9)和N型重掺杂半导体源区(10)共同引出源电极，由所述N型重掺杂半导体衬底(1)下表面引出漏电极；在所述P型重掺杂半导体体接触区(9)和P阱区(8)侧面引入一个包括绝缘介质(11)和导电材料(6)的侧壁，侧壁倾斜一定角度且底部延伸至N型半导体漂移区(3)内的沟槽屏蔽栅结构，屏蔽栅与源电极短接；并在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，张倩，邓高强，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：