具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法技术

本申请提供一种具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、第一沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述第一沟槽区设置在所述基体区侧方，并分别与所述漂移区、所述基体区和所述源区相接；所述控制栅和所述屏蔽栅由上至下依次设置在所述第一沟槽区内，且经所述第一绝缘层分隔；所述控制栅通过所述第一绝缘层分别与所述基体区和所述源区相接，所述屏蔽栅通过所述绝缘层与所述漂移区相接；所述N型源区设置于所述基体区的上方，所述P型源区设置于所述基体区与所述第一沟槽区相对的侧方。于所述基体区与所述第一沟槽区相对的侧方。于所述基体区与所述第一沟槽区相对的侧方。

【技术实现步骤摘要】
具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法


[0001]本申请涉及功率半导体器件
，尤其涉及具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]屏蔽栅沟槽型场效应晶体管(Split Gate Trench，SGT)已被广泛地应用于电源管理等重要的低压领域。SGT具有沟道密度高，同时具备较好的电荷补偿效果。此外，其屏蔽栅结构因有效地隔离了控制栅极至漏极之间的耦合，从而显著地降低了传输电容。
[0003]因此，SGT拥有更低的比导通电阻、更小的导通损耗和开关损耗、更高的工作频率。
[0004]然而，传统SGT器件中，为了抑制SGT器件中的衬底浮动效应，SGT中基体区的上方设置有P型掺杂的源区和N型掺杂的源区。而这种源区的设置方式导致了两方面的问题，第一方面导致了基体区上方需要留存足够的面积来形成源区，增大了SGT器件的横截面；第二方面，当晶体管正向高压阻断或正向高压导通时，空穴电流流经基体区通道形成一个足以使寄生三极管开启的空穴电流，触发三极管开启。
[0005]因此，为了减少SGT器件的横本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底区(1)、漂移区(2)、基体区(3)、源区(4)、第一沟槽区(5)、漏极(6)以及源极(7)；所述漂移区(2)与所述衬底区(1)相接，以所述衬底区(1)指向所述漂移区(2)的方向为上方，所述基体区(3)和所述源区(4)依次设置在所述漂移区(2)的上方；所述第一沟槽区(5)设置在所述基体区(3)侧方，并分别与所述漂移区(2)、所述基体区(3)和所述源区(4)相接；所述第一沟槽区(5)包括屏蔽栅(51)、控制栅(52)、第一绝缘层(53)和金属栅极；所述控制栅(52)和所述屏蔽栅(51)由上至下依次设置在所述第一沟槽区(5)内，且经所述第一绝缘层(53)分隔；所述控制栅(52)通过所述第一绝缘层(53)分别与所述基体区(3)和所述源区(4)相接，所述屏蔽栅(51)通过所述绝缘层与所述漂移区(2)相接；所述源区(4)由N型源区(41)以及P型源区(42)组成，且所述源区(4)连接所述基体区(3)；所述N型源区(41)设置于所述基体区(3)的上方，所述P型源区(42)设置于所述基体区(3)与所述第一沟槽区(5)相对的侧方；所述源极(7)连接所述源区(4)；所述漏极(6)设置在所述衬底区(1)下方；所述金属栅极设在所述控制栅(52)上方。2.根据权利要求1所述的具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管，其特征在于，还包括：第二沟槽区(8)；所述第二沟槽区(8)设置在所述基体区(3)与所述第一沟槽区(5)相对的侧方，所述第二沟槽区(8)内设置有第二绝缘层(81)、所述P型源区(42)和所述源极(7)；所述第二绝缘层(81)和所述源极(7)由下至上依次设置在所述第二沟槽区(8)内；所述第二绝缘层(81)的下方连接所述漂移区(2)；所述第二绝缘层(81)的侧方连接所述漂移区(2)；所述源极(7)的下方连接所述第二绝缘层(81)；所述P型源区(42)设置于所述基体区(3)以及所述源极(7)之间。3.根据权利要求1所述的具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管，其特征在于，所述源极(7)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张子敏，王宇澄，虞国新，吴飞，钟军满，
申请(专利权)人：无锡先瞳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：