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本发明涉及一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，属于MOSFET器件技术领域。本发明公开了一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，通过在栅极下表面引入分裂栅和沟道MOS二极管：分裂栅屏蔽了栅极与漏极的耦合面积，大幅降低了器...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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