半导体封装方法技术

本申请提供一种半导体封装方法。所述半导体封装方法包括：形成包封结构，所述包封结构包括包封层及至少一个芯片，所述包封层上设置有至少一个内凹的腔体，所述至少一个芯片设置在所述至少一个内凹的腔体内，所述芯片的正面露出所述包封层，所述芯片的正面设有多个焊垫；在所述包封结构上形成再布线结构，所述再布线结构将所述芯片的焊垫引出；将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上，所述再布线结构背离所述芯片的表面通过所述镂空部露出所述绝缘膜层。出所述绝缘膜层。出所述绝缘膜层。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种半导体封装方法。

技术介绍

[0002]常见的半导体封装技术，比如芯片封装技术主要包含下述工艺过程：对于芯片正面进行工艺处理过程而言，首先将芯片的正面贴装在载板上，进行热压塑封，将载板剥离，然后在芯片的正面形成再布线结构，之后在再布线结构上形成用于保护再布线结构的绝缘层，且再布线结构背离芯片的表面露出绝缘层。
[0003]现有的芯片封装技术，在再布线结构上形成绝缘层时，最初形成的绝缘层将再布线结构全部覆盖，随后在对绝缘层进行研磨，以使绝缘层的厚度减薄，再布线结构背离芯片的表面露出。但是研磨工艺比较耗时，影响封装效率。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种半导体封装方法。所述半导体封装方法包括：
[0005]形成包封结构，所述包封结构包括包封层及至少一个芯片，所述包封层上设置有至少一个内凹的腔体，所述至少一个芯片设置在所述至少一个内凹的腔体内，所述芯片的正面露出所述包封层，所述芯片的正面设有多个焊垫；
[0006]在所述包封结构上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：形成包封结构，所述包封结构包括包封层及至少一个芯片，所述包封层上设置有至少一个内凹的腔体，所述至少一个芯片设置在所述至少一个内凹的腔体内，所述芯片的正面露出所述包封层，所述芯片的正面设有多个焊垫；在所述包封结构上形成再布线结构，所述再布线结构将所述芯片的焊垫引出；将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上，所述再布线结构背离所述芯片的表面通过所述镂空部露出所述绝缘膜层。2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述再布线结构背离所述包封结构的一侧与所述绝缘膜层背离所述包封结构的一侧的高度差的范围为0至40μm。3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述再布线结构包括多个导电结构，所述绝缘膜层上设有多个所述镂空部，所述镂空部与所述导电结构一一对应，所述导电结构背离所述芯片的一侧通过对应的所述镂空部露出。4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述导电结构包括与所述焊垫连接的迹线结构及位于所述迹线结构背离所述芯片一侧的导电凸柱；所述镂空部的内表面设有台阶结构，所述迹线结构位于所述镂空部内且位于所述台阶结构靠近所述芯片的一侧，所述导电凸柱位于所述镂空部内且被所述台阶结构环绕。5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述绝缘膜层的材料为柔性材料。6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将设...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂旭峰，霍炎，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：