半导体封装方法和半导体封装结构技术

本申请公开了一种半导体封装方法和半导体封装结构。其中，半导体封装方法包括以下步骤：在半导体晶圆的第一表面形成第一保护层；减薄半导体晶圆；在半导体晶圆的第二表面形成第二保护层；切割半导体晶圆。第一保护层和第二保护层的热膨胀系数的差值小于等于6。半导体封装结构由半导体封装方法制作而成。在上述设置中，限制第一保护层和第二保护层的热膨胀系数的差值，使得第一保护层和第二保护层在同一温度环境下所产生的形变量相近，从而使得半导体封装结构的第一表面和第二表面受到的作用力尽可能达到均衡，减少或者避免半导体晶圆由于受力不均衡而出现曲翘，保证半导体封装结构在进行冷热冲击等信赖性试验时结构的稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法和半导体封装结构


[0001]本申请涉及一种半导体
，尤其涉及一种半导体封装方法和半导体封装结构。

技术介绍

[0002]目前，在封装过程中，待封装裸片的活性面上设有保护层，待封装裸片的背面暴露。当保护层产生形变时，待封装裸片的活性面会受到保护层的拉扯，并产生曲翘。将该待封装裸片封装形成半导体封装结构时，应力会储存在每个待封装裸片中，当半导体封装结构在进行冷热冲击等信赖性试验时会产生开裂、分层等异常。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种半导体封装方法和半导体封装结构，其可减少或避免半导体晶圆出现曲翘的情况。
[0004]根据本申请的第一方面，提供一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：
[0005]在半导体晶圆的第一表面上形成第一保护层；
[0006]减薄所述半导体晶圆；
[0007]在半导体晶圆的第二表面上形成第二保护层；
[0008]切割半导体晶圆，并形成待封装裸片；
[0009]其中，所述第一表面和所述第二表面相对设置，所述第一保护层和所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：在半导体晶圆的第一表面上形成第一保护层；减薄所述半导体晶圆；在半导体晶圆的第二表面上形成第二保护层；切割半导体晶圆，并形成待封装裸片；其中，所述第一表面和所述第二表面相对设置，所述第一保护层和所述第二保护层的热膨胀系数的差值小于等于6。2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法还包括：将所述待封装裸片与引线框架固定；在所述第二保护层上形成第二开口，所述第二开口将所述第二表面暴露；在所述第二保护层的远离所述第一保护层的一侧形成第二再布线层，所述第二再布线层穿通所述第二开口与所述第二表面连接，并且，所述第二再布线层连接所述引线框架；其中，第二保护层的热膨胀系数位于所述第二再布线层和所述待封装裸片的热膨胀系数之间。3.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将所述待封装裸片与引线框架固定，包括：提供基板；在基板上固定引线框架，所述引线框架包括多个间隔设置的导电柱；将所述待封装裸片固定于所述基板，所述第一保护层与所述基板连接，并且，所述待封装裸片设置于相邻的两个所述导电柱之间；形成第一塑封层，所述第一塑封层包裹所述导电柱和所述待封装裸片。4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在半导体晶圆的第一表面上形成第一保护层之后，所述减薄所述半导体晶圆之前，还执行以下步骤：在所述第一保护层上形成第一开口，所述第一开口将所述第一表面上的管脚暴露。5.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法还包括：利用第一塑封层将所述待封装裸片与引线框架固定；在所述第一保护层的远离所述第二保护层的一侧形成第一再布线层，所述第一再布线层穿通所述第一开口与所述管脚连接；在远离所述第一保护层的一侧，减薄所述第一塑封层，以使所述第二保护层和引线框架的端面露出。6.一种半...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫璐，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：