温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种半导体封装方法和半导体封装结构。其中,半导体封装方法包括以下步骤:在半导体晶圆的第一表面形成第一保护层;减薄半导体晶圆;在半导体晶圆的第二表面形成第二保护层;切割半导体晶圆。第一保护层和第二保护层的热膨胀系数的差值小于等于6...该专利属于矽磐微电子(重庆)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过矽磐微电子(重庆)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种半导体封装方法和半导体封装结构。其中,半导体封装方法包括以下步骤:在半导体晶圆的第一表面形成第一保护层;减薄半导体晶圆;在半导体晶圆的第二表面形成第二保护层;切割半导体晶圆。第一保护层和第二保护层的热膨胀系数的差值小于等于6...