【技术实现步骤摘要】
扇出型晶圆级封装方法及封装结构
[0001]本专利技术涉及嵌入式扇出型晶圆级芯片封装
，特别是涉及一种扇出型晶圆级封装方法及封装结构。
技术介绍
[0002]随着技术的发展芯片向轻薄短小化的发展越来越快，因此小型化晶圆级封装技术的重要性不断提高。扇出型(Fan
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Out)晶圆级封装技术目前对于关注高性能和小尺寸的应用市场具有很强的吸引力。采用该技术，端子数更多的芯片即使不缩小间距也可以进行封装，即使芯片收缩也无需变更封装尺寸。然而，目前的扇出型晶圆封装技术在对芯片进行封装时，普遍存在翘曲度较大、芯片对位精度较差、封装工艺复杂的问题。同时，在对衬底进行背部减薄时，存在容易对封装结构中其他材料层造成损伤的问题。
技术实现思路
[0003]基于此，有必要针对如何解决扇出型晶圆封装中存在的翘曲度较大、芯片对位精度较差及封装工艺复杂等问题，同时在对衬底进行背部减薄时，存在容易对封装结构中其他材料层造成损伤的问题，提供一种扇出型晶圆级封装方法及封装结构。
[0004]一种扇出型晶圆级封装方...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述衬底的第一表面上形成牺牲层；在所述牺牲层远离所述衬底的表面上形成第一厚胶层，并采用曝光显影工艺在所述第一厚胶层内形成凹槽；提供芯片，并将所述芯片键合于所述凹槽内；所述芯片的正面形成有焊盘，所述芯片的正面远离所述凹槽的底部；所述芯片的厚度大于所述凹槽的厚度；至少在所述第一厚胶层远离所述衬底的表面形成第二厚胶层，所述第二厚胶层覆盖所述芯片；在所述第二厚胶层上形成有第一开口，所述第一开口暴露出所述焊盘；在所述第二厚胶层远离所述第一厚胶层的表面形成重布线层，所述重布线层与所述焊盘相接触。2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述提供芯片，并将所述芯片键合于所述凹槽内之前还包括：形成粘附层，所述粘附层覆盖所述第一厚胶层远离所述衬底的表面、所述凹槽的侧壁及所述凹槽的底部。3.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述提供芯片，并将所述芯片键合于所述凹槽内之前还包括：在所述凹槽的底部形成粘附层；所述芯片键合于所述粘附层远离所述衬底的表面；所述芯片与所述凹槽的侧壁之间具有间隙，在所述第一厚胶层远离所述衬底的表面形成第二厚胶层的同时，所述第二厚胶层还填满所述间隙。4.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述在所述第二厚胶层远离所述第一厚胶层的表面形成重布线层之后还包括：在所述第二厚胶层远离所述第一厚胶层的表面形成钝化层，所述钝化层覆盖所述重布线层；在所述钝化层内形成第二开口，所述第二开口暴露出所述重布线层；在所述第二开口内形成焊球，所述焊球与所述重布线层相接触。5.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述在所述第二厚胶层远离所述第一厚胶层的表面形成重布线层之后还包括：在所述第二厚胶层远离所述第一厚胶层的表面形成钝化层，所述钝化层覆盖上一步骤形成所述重布线层；并在所述钝化层内形成第二开口，所述第二开口暴露出上一步骤形成的所述重布线层；在上一步骤形成的所述钝化层远离所述第二厚胶层的表面及所述第二开口内形成又一重布线层，该步骤形成的所述重布线层与所述第二开口暴露出的重布线层相接触；在上一步骤形成的所述重布线层所在的所述钝化层的表面形成又一钝化层，该步骤形成的所述钝化层覆盖上一步骤形成的所述重布线层；并在该步骤形成的所述钝化层内形成第三开口，所述第三开口暴露出上一步骤形成的所述重布线层；在所述第三开口内形成焊球，所述焊球与所述第三开口暴露出的所述重布线层相接触。
6.根据权利要求5所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述在所述第三开口内形成焊球之前还包括重复如下步骤至少一次：在上一步骤形成的所述钝化层远离所述第二厚胶层的表面及所述第二开口内形成又一重布线层，该步骤形成的所述重布线层与所述第二开口暴露出的重布线层相接触；在上一步骤形成的所述重布线层所在的所述钝化层的表面形成又一钝化层，该步骤形成的所述钝化层覆盖上一步骤形成的所述重布线层；并在该步骤形成的所述钝化层内形成第三开口，所述第三开口暴露出上一步骤形成的所述重布线层。7.根据权利要求4至6中任一项所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第一厚胶层内形成多个所述凹槽；将所述芯片键合于所述凹槽内之后，各所述凹槽内均键合有所述芯片；形成所述焊球之后还包括：自所述牺牲层处剥离所述牺牲层及所述衬底；自相邻所述凹槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝兵，姚辉轩，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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