一种五氧化二钽晶体制造设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种五氧化二钽晶体制造设备，属于晶体制造设备技术领域，该一种五氧化二钽晶体制造设备，包括底座、坩埚以及安装在所述底座顶端的炉体；升降座，所述升降座设置在所述炉体内且所述底座内设置有控制所述升降座升降的升降机构。当五氧化二钽在晶体生长炉中高温熔化后，通过驱动机构带动安装在安装座上的坩埚进行旋转，有利于溶体成分分布均匀以及气泡的排出，通过升降机构带动升降座以及升降座上的坩埚逐步向低温区移动实现结晶生长，能够进一步排出气泡和杂质，提高五氧化二钽成品的质量。化二钽成品的质量。化二钽成品的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种五氧化二钽晶体制造设备


[0001]本技术属于晶体制造设备
，具体涉及一种五氧化二钽晶体制造设备。

技术介绍

[0002]光学晶体膜料是光学元件加工镀膜的关键材料，能使光学元件具有减少或增加光反射、分色、滤光、偏振等功能，其应用十分广泛，大到航空、航天、军事、仪表等领域，小到数码相机、投影机、手机、正投影机与背投影电视、光学驱动器、可视电话、DVD、照相手机、车载可视系统及生物医学工程图像设备等消费类产品。五氧化二钽是一种优异的镀膜材料，对可见光及近红外光谱都具有很高的折射率，可与SiO2相互配合制备得到高折射率材料如增透膜、反射膜、滤光片等光学薄膜，近些年受到极大重视。
[0003]现有的五氧化二钽制造设备在生产五氧化二钽过程中，五氧化二钽陶瓷内部或多或少还是残存有一定空隙和气泡，这对膜料产品将产生不同程度的影响。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种五氧化二钽晶体制造设备，以解决上述
技术介绍
中提出现有的晶体制造设备在使用过程中的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种五氧化二钽晶体制造设备，包括底座、坩埚以及安装在所述底座顶端的炉体；
[0006]升降座，所述升降座设置在所述炉体内且所述底座内设置有控制所述升降座升降的升降机构；
[0007]基座组件，所述基座组件包括壳体部件和安装所述坩埚的安装座，所述壳体部件设置有和所述安装座相适配的放置槽口且所述壳体部件内设置有控制所述安装座转动的驱动机构。
[0008]优选的，所述驱动机构包括一端和所述安装座固定连接的转轴以及驱动所述转轴转动的第一电机。
[0009]优选的，所述驱动机构还包括设置在所述壳体部件上的定位槽以及固定在所述安装座底端的旋转部件。
[0010]优选的，所述壳体部件内壁设置有隔热层。
[0011]优选的，所述基座组件的材质为SiC。
[0012]优选的，所述升降机构包括螺纹杆、驱动所述螺纹杆转动的第二电机以及螺纹连接在所述螺纹杆上的移动块。
[0013]优选的，所述移动块通过连接件和所述升降座连接。
[0014]优选的，还包括对所述驱动机构以及升降机构进行控制控制器。
[0015]优选的，所述控制器和所述驱动机构以及升降机构均电性连接。
[0016]优选的，所述炉体前端转动连接有炉门。
[0017]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0018]当五氧化二钽在晶体生长炉中高温熔化后，通过驱动机构带动安装在安装座上的坩埚进行旋转，有利于溶体成分分布均匀以及气泡的排出，通过升降机构带动升降座以及升降座上的坩埚逐步向低温区移动实现结晶生长，能够进一步排出气泡和杂质，提高五氧化二钽成品的质量。
附图说明
[0019]图1为本技术的整体结构示意图；
[0020]图2为本技术的壳体部件内部结构示意图；
[0021]图3为本技术的升降机构结构示意图；
[0022]图4为本技术的壳体部件以及坩埚结构示意图。
[0023]图中：1、底座；2、炉体；3、坩埚；4、升降座；5、基座组件；6、壳体部件；7、安装座；8、放置槽口；9、驱动机构；10、第一电机；11、转轴；12、隔热层；13、升降机构；14、第二电机；15、螺纹杆；16、移动块；17、连接件；18、控制器；19、炉门；20、定位槽；21、旋转部件。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]请参阅图1
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4，本技术提供一种技术方案：一种五氧化二钽晶体制造设备，包括底座1、坩埚3以及安装在底座1顶端的炉体2；升降座4，升降座4设置在炉体2内且底座1内设置有控制升降座4升降的升降机构13；基座组件5，基座组件5包括壳体部件6和安装坩埚3的安装座7，壳体部件6设置有和安装座7相适配的放置槽口8且壳体部件6内设置有控制安装座7转动的驱动机构9。
[0026]本实施方案中，当五氧化二钽在晶体生长炉中高温熔化后，通过驱动机构9带动安装在安装座7上的坩埚3进行旋转，有利于溶体成分分布均匀以及气泡的排出，通过升降机构13带动升降座4以及升降座4上的坩埚3逐步向低温区移动实现结晶生长，能够进一步排出气泡和杂质，提高五氧化二钽成品的质量。
[0027]本实施例中，驱动机构9包括一端和安装座7固定连接的转轴11以及驱动转轴11转动的第一电机10，通过第一电机10带动转轴11转动，进而带动转轴11上的安装座7转动，即可实现坩埚3的旋转，驱动机构9还包括设置在壳体部件6上的定位槽20以及固定在安装座7底端的旋转部件21，当安装座7在放置槽口8内转动的同时，旋转部件21同步在定位槽口20内进行转动，通过旋转部件21和定位槽口20的配合，能够提高安装座7以及坩埚3在转动时的稳定性。
[0028]本实施例中，壳体部件6内壁设置有隔热层12，通过设置隔热层12，能够对内部的第一电机10进行保护。
[0029]本实施例中，基座组件5的材质为SiC，利用SiC耐高温特性，能够提高装置整体的使用寿命。
[0030]本实施例中，升降机构13包括螺纹杆15、驱动螺纹杆15转动的第二电机14以及螺纹连接在螺纹杆15上的移动块16，移动块16通过连接件17和升降座4连接，通过第二电机14带动螺纹杆15转动，螺纹杆15上的移动块16随着螺纹杆15的转动而沿着螺纹杆15的轴向方向进行直线运动，与移动块16通过连接件17连接的升降座4随着同步运动，即可实现升降座4高度的调节。
[0031]本实施例中，还包括对驱动机构9以及升降机构13进行控制控制器18，控制器18和驱动机构9以及升降机构13均电性连接，通过控制器18能够更加方便的对驱动机构9和升降机构13的运动进行控制。
[0032]本实施例中，炉体2前端转动连接有炉门19。
[0033]本技术的工作原理及使用流程：将总重量为2Kg、纯度为99.99％的五氧化二钽原料密封于坩埚3中并抽真空至2
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3Pa，将坩埚3安装在安装座7，随后装入1900℃晶体炉体2中，五氧化二钽原料在炉体2的高温区熔化，保温8小时后，第一电机10带动安装座7以及安装座7上的坩埚3进行转动，促使熔体成分分布均匀并排除气泡，随后开启升降机构13，坩埚3随升降座4一起按0.8mm/小时速度向低温区移动，熔体在20℃/cm温度梯度区逐步结晶，直至所有熔体全部消耗完毕，在此过程中，安装座7以及坩埚3始终保持10r/分钟速度旋转，最终晶体炉以20℃/小时速度冷却至室温，即可获得五氧化二钽晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种五氧化二钽晶体制造设备，其特征在于：包括底座(1)、坩埚(3)以及安装在所述底座(1)顶端的炉体(2)；升降座(4)，所述升降座(4)设置在所述炉体(2)内且所述底座(1)内设置有控制所述升降座(4)升降的升降机构(13)；基座组件(5)，所述基座组件(5)包括壳体部件(6)和安装所述坩埚(3)的安装座(7)，所述壳体部件(6)设置有和所述安装座(7)相适配的放置槽口(8)且所述壳体部件(6)内设置有控制所述安装座(7)转动的驱动机构(9)。2.根据权利要求1所述的一种五氧化二钽晶体制造设备，其特征在于：所述驱动机构(9)包括一端和所述安装座(7)固定连接的转轴(11)以及驱动所述转轴(11)转动的第一电机(10)。3.根据权利要求2所述的一种五氧化二钽晶体制造设备，其特征在于：所述驱动机构(9)还包括设置在所述壳体部件(6)上的定位槽(20)以及固定在所述安装座(7)底端的旋转部件(21)。4.根据权利要求1所述的一种五氧化二钽晶体制造设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李新华，金敏，靳光玉，
申请(专利权)人：常州瞻驰光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：