生长炉制造技术

本发明专利技术提供一种生长炉，包括：炉体、壳体、保温组件以及冷却组件；所述炉体包括加热模块和保温模块，所述保温模块套设于所述壳体的内侧，所述加热模块套设于所述保温模块的内侧；所述保温组件和所述冷却组件均设于所述壳体的外壁；所述保温组件用于向所述壳体传递热量，所述冷却组件用于向所述壳体的外侧散失热量。本发明专利技术的生长炉，炉体处于升温和恒温状态时，保温组件向壳体传递热量，使得壳体维持在预设温度，可以有效避免环境温度波动对炉体的影响，保障炉体内部温度场的稳定性；炉体处于降温状态时，冷却组件启动，冷却组件与炉体进行热交换，加快炉体内的热量向外部环境散失，提高炉体的散热效率，使得炉体具有高保温性和高散热性。高散热性。高散热性。

【技术实现步骤摘要】
生长炉


[0001]本专利技术涉及晶体加工设备
，尤其涉及一种生长炉。

技术介绍

[0002]半导体材料在电子电力、微波射频以及光电子等领域受到广泛的应用，晶体生长技术是半导体材料制备的关键。影响晶体生长的核心因素为晶体生长所需的温度场，温度场的形状和稳定性决定了能否制备出合格的大尺寸单晶，稳定的温度场可以减少结晶界面的形核几率，有利于生长出大尺寸单晶。
[0003]现有技术中用于晶体生长的生长炉，一般都采用加厚保温层的方式，来加强炉体的保温效果，依靠加厚保温层来增强炉体内温度场的稳定性，效果有限，易受环境温度的影响，当环境温度波动时，热冲击会传递到炉体内部，引起炉体内部温度的波动。特别是当炉体外部所处环境温度有较大差异时，容易导致炉体内部温度紊乱，对晶体的生长造成不利影响。炉体需要降温时，设于炉壳和炉体之间的冷却系统不能快速将炉体内的热量散失，导致炉体散热效率不佳。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种生长炉，用以解决现有的晶体生长炉易受外界环境温度波动的影响以及冷却系统的设置方式，导致炉体内的温度场的稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种生长炉，其特征在于，包括：炉体、壳体、保温组件以及冷却组件；所述炉体包括加热模块和保温模块，所述保温模块套设于所述壳体的内侧，所述加热模块套设于所述保温模块的内侧；所述保温组件和所述冷却组件均设于所述壳体的外壁；所述保温组件用于向所述壳体传递热量，所述冷却组件用于向所述壳体的外侧散失热量。2.根据权利要求1所述的生长炉，其特征在于，所述壳体的外壁凸设有多个片状体，所述保温组件和所述冷却组件间隔嵌套于相邻所述片状体所围合成的区域；所述保温组件和/或所述冷却组件与所述片状体的表面接触。3.根据权利要求2所述的生长炉，其特征在于，所述壳体和所述多个片状体的材质均为碳化硅。4.根据权利要求2所述的生长炉，其特征在于，所述加热组件包括伴热带，所述伴热带呈螺旋状缠绕于所述壳体的外壁。5.根据权利要求4所述的生长炉，其特征在于，所述加热组件还包括温控器，所述温控器与所述伴热带连接，用于控制所述伴热带的温度。6.根据权利要求2所述的生长炉，其特征在于，所述冷却组件包括水冷管，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王苗，杨帆，王涛，贾宁波，杨梅，孙晓龙，席守智，汤三奇，介万奇，
申请(专利权)人：陕西迪泰克新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：