等离子体处理装置制造方法及图纸

一种等离子体处理装置包括：反应腔，其包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁具有基片传输口，所述基片传输口的顶部到反应腔底部具有第一距离；可移动下电极组件，设于所述反应腔内底部，用于承载待处理基片；等离子体约束装置，环绕设于所述可移动下电极组件的外围，其底部到反应腔底部具有第二距离，所述第二距离大于第一距离；遮挡板，位于所述可移动下电极组件与反应腔侧壁之间，用于密封所述基片传输口；第一驱动装置，用于驱动所述遮挡板移动以密封所述基片传输口。所述等离子体处理装置能够降低颗粒污染，并能保证传片路径的畅通，且能提高待处理基片不同相位角上的刻蚀均匀性。高待处理基片不同相位角上的刻蚀均匀性。高待处理基片不同相位角上的刻蚀均匀性。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造的各种工序中，等离子体处理是将待处理基片加工成设计图案的关键工艺。在典型的等离子体处理工艺中，工艺气体在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与待处理基片表面发生物理轰击作用及化学反应，从而对待处理基片表面进行处理。
[0003]通常在等离子体处理装置的反应腔侧壁设置基片传输口，所述基片传输口用于实现待处理基片的传进或者传出，然而，所述反应腔侧壁易堆积颗粒污染物，当基片传输的过程中，堆积的颗粒污染物跌落在待处理基片的表面，将造成待处理基片的污染，影响，待处理基片的良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供了一种等离子体处理装置，以减少颗粒污染，并能保证传片路径的畅通，且能提高待处理基片不同相位角上的刻蚀均匀性。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种等离子体处理装置，包括：反应腔，其包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁具有基片传输口，所述基片传输口到反应腔底部具有第一距离；可移动下电极组件，设于所述反应腔内底部，用于承载待处理基片；等离子体约束装置，环绕设于所述可移动下电极组件的外围，其到反应腔底部具有第二距离，所述第二距离小于第一距离；遮挡板，位于所述可移动下电极组件与反应腔侧壁之间，用于密封所述基片传输口；第一驱动装置，用于驱动所述遮挡板上下移动。
[0006]可选的，所述第一驱动装置还用于驱动所述可移动下电极组件上下移动。
[0007]可选的，还包括：第二驱动装置，用于驱动所述可移动下电极组件上下移动。
[0008]可选的，具有所述基片传输口的反应腔侧壁包括：位于所述基片传输口上方的第一侧壁部和位于所述基片传输口下方的第二侧壁部，沿平行于所述可移动下电极组件的表面，所述第一侧壁部的尺寸大于第二侧壁的尺寸；利用所述第一驱动装置使遮挡板密封基片传输口时，所述遮挡板顶部抵着所述第一侧壁部的下方。
[0009]可选的，所述基片传输口的周围设有台阶；所述遮挡板包括第一遮挡部和由第一遮挡部底部向外延伸的第二遮挡部；还包括：位于所述第一遮挡部和第二遮挡部表面的密封装置，当所述遮挡板密封所述基片传输口时，所述密封装置与台阶贴合。
[0010]可选的，所述第一驱动装置包括：驱动杆、滑板、滑轮和可压缩件，所述驱动杆的一端连接驱动器，另一端连接滑板，所述滑板具有滑面，所述滑轮可沿滑面运动，且所述滑面自上而下到反应腔侧壁的距离逐渐减小，所述滑轮的另一端与遮挡板连接，且所述滑板的上方通过可压缩件与等离子体约束装置固定。
[0011]可选的，还包括：安装基板，设于所述反应腔的顶部；气体喷淋头，位于所述安装基板的下方，与所述可移动下电极组件相对设置，用于向反应腔内输送反应气体。
[0012]可选的，还包括：机械手装置，用于取出或者放置待处理基片。
[0013]可选的，还包括：真空泵，用于使所述反应腔内为真空环境。
[0014]与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0015]本专利技术技术方案提供的等离子体处理装置中，尽管所述基片传输口的位置低于所述等离子体约束装置，且反应腔侧壁不加热，使所述基片传输口附近的温度较低，但是，当待处理基片被传输至可移动下电极组件上后进行工艺处理时，所述遮挡板用于遮挡所述基片传输口，使等离子体约束装置下方的颗粒污染难以堆积在基片传输口的侧壁，这样所述基片传输口的内侧壁较清洁，不易对传输过程中的基片造成颗粒污染。并且，可通过第一驱动装置驱动所述遮挡板上下移动，但需要传进或者传出待处理基片时，使遮挡板向下移动，以保证传片路径的畅通；另外，所述等离子体约束装置上方，所述反应腔侧壁上没有开始基片传输口，使待处理基片不同相位角上的刻蚀均匀性较好。综上，等离子体处理装置不仅能够降低颗粒污染，并能保证传片路径的畅通，且能提高待处理基片不同相位角上的刻蚀均匀性。
附图说明
[0016]图1为本专利技术一种等离子体处理装置的结构示意图；
[0017]图2为利用图1等离子体处理装置取放待处理基片的结构示意图；
[0018]图3为本专利技术另一种等离子体处理装置的结构示意图；
[0019]图4为本专利技术又一种等离子体处理装置的结构示意图；
[0020]图5为本专利技术再一种等离子体处理装置的结构示意图。
具体实施方式
[0021]正如
技术介绍
所述，现有等离子体处理装置对待处理基片的颗粒污染较严重，为此，本专利技术致力于提供一种等离子体处理装置，以降低待处理基片的颗粒污染，且能够保证传片路径的畅通，以下进行详细说明：
[0022]图1为本专利技术一种等离子体处理装置的结构示意图。
[0023]请参考图1，等离子体处理装置1包括：反应腔，其包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁具有基片传输口110，所述基片传输口110到反应腔的底部具有第一距离；可移动下电极组件101，设于所述反应腔内底部，用于承载待处理基片W；等离子体约束装置105，环绕设于所述可移动下电极组件101的外围，其到反应腔底部具有第二距离，所述第二距离大于第一距离；遮挡板103，位于所述可移动下电极组件101与反应腔侧壁之间，用于密封所述基片传输口110；第一驱动装置，用于驱动所述遮挡板103上下移动。
[0024]在本实施例中，所述等离子体处理装置为电容耦合等离子体处理装置，所述等离子体处理装置还包括：安装基板111和位于所述安装基板111下方的气体喷淋头112，所述安装基板111和气体喷淋头112位于所述反应腔的顶部，且所述气体喷淋头112与可移动下电极组件101相对设置，所述气体喷淋头112用于向反应腔内输送反应气体。并且，所述等离子体处理装置还包括：真空泵(图中未示出)，用于使反应腔内为真空环境。所述气体喷淋头
112作为反应腔的上电极，所述可移动下电极组件101包括基座(图中未示出)和位于基座上方的静电吸盘102，同时作为反应腔的下电极，所述上电极和所述下电极之间形成一反应区域。所述等离子体处理装置还包括至少一射频电源(图中未示出)，所述射频电源通过匹配网络(图中未示出)施加到所述上电极或下电极之一，在所述上电极和所述下电极之间产生射频电场，用以将反应气体解离为等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片W的表面发生多种物理和化学反应，使得待处理基片表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。
[0025]对于电容耦合等离子体处理装置，射频回路的路径为：可移动下电极组件101传递至等离子体，再经等离子体传递至所述气体喷淋头112，再经所述气体喷淋头112传递至反应腔的顶部，再由反应腔的顶部传递至反应腔侧壁，所述反应腔侧壁接地形成射频回路。为了提高射频分布的均匀性，将基片传输口110设置在所述等离子体约本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔，其包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁具有基片传输口，所述基片传输口的顶部到反应腔底部具有第一距离；可移动下电极组件，设于所述反应腔内底部，用于承载待处理基片；等离子体约束装置，环绕设于所述可移动下电极组件的外围，其底部到反应腔底部具有第二距离，所述第二距离大于第一距离；遮挡板，位于所述可移动下电极组件与反应腔侧壁之间，用于密封所述基片传输口；第一驱动装置，用于驱动所述遮挡板移动以密封所述基片传输口。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一驱动装置还用于驱动所述可移动下电极组件上下移动。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：第二驱动装置，用于驱动所述可移动下电极组件上下移动。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，具有所述基片传输口的反应腔侧壁包括：位于所述基片传输口上方的第一侧壁部和位于所述基片传输口下方的第二侧壁部，沿平行于所述可移动下电极组件的表面，所述第一侧壁部的尺寸大于第二侧壁部的尺寸；利用所述第一驱动装置使遮挡板密封基片传输口时，所述遮挡板顶部抵着所述第一侧壁部的下方。5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基片传输口的端部设有台阶；所述遮挡板包括第一遮挡部和由第一遮挡部底部向外延伸的第二遮挡部；还包括：位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐朝阳，吴磊，王凯麟，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：