【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种基座组件及等离子体处理装置。
技术介绍
1、等离子体处理装置，通过向真空反应腔室内通入含有适当刻蚀剂或沉积源气体的反应气体，然后再对该真空反应腔室施加射频能量，以激活并解离反应气体，来点燃和维持等离子体，以便通过等离子体来刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上沉积材料层，进而对半导体基片或等离子平板等进行加工。
2、如图1所示，在现有的一种电容耦合型等离子体(ccp)处理装置中，包含真空的反应腔室1，其由位于顶端的顶盖，位于底端的底壁，以及连接在顶盖和底壁之间的侧壁构成，形成气密性的内部反应空间。在反应腔室1内的顶盖下方设有喷淋头组件2，用于向反应腔室1内引入反应气体；在顶盖处设有上电极，使其耦接于大地或者射频电位。在反应腔室1内的底壁设有基座3，通过基座3上设置的静电吸盘在刻蚀制程中对基片4进行吸附；在基座3处设有下电极并对其施加射频功率rf，从而在反应腔室1内形成射频电场，将引入的反应气体生成等离子体。进一步，在基片4的外缘环绕设有聚焦环5，其通过调节反应腔室1内整个射频电场的分布...
【技术保护点】
1.一种基座组件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基座组件，其特征在于，多个所述导光通道沿基座的周向均匀或不均匀设置。
3.如权利要求2所述的基座组件，其特征在于，所述导光通道设置在所述环形台阶内部，所述导光通道的出口位于所述环形台阶顶部，所述聚焦环的下方设置有绝缘环，所述绝缘环环绕所述基座外周设置，所述绝缘环上设置有接续通道，所述接续通道通过该出口与所述导光通道连通，使该出口与所述聚焦环底部相对。
4.如权利要求3所述的基座组件，其特征在于，所述透光材料为光纤。
5.如权利要求4所述的基座组件，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种基座组件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基座组件，其特征在于，多个所述导光通道沿基座的周向均匀或不均匀设置。
3.如权利要求2所述的基座组件，其特征在于，所述导光通道设置在所述环形台阶内部，所述导光通道的出口位于所述环形台阶顶部，所述聚焦环的下方设置有绝缘环，所述绝缘环环绕所述基座外周设置，所述绝缘环上设置有接续通道，所述接续通道通过该出口与所述导光通道连通，使该出口与所述聚焦环底部相对。
4.如权利要求3所述的基座组件，其特征在于，所述透光材料为光纤。
5.如权利要求4所述的基座组件，其特征在于，所述导光通道具有位于所述基座底部的进口，所述进口处设置有第一转接头，用于气密隔绝；所述导光通道和所述接续通道之间设置有第二转接头，用于光纤的定位。
6.如权利要求3所述的基座组件，其特征在于，所述绝缘环与所述基座接触的底部之间设有第一导热垫；所述聚焦环与所述绝缘环接触的底部之间设有第二导热垫。
7.如权利要求2所述的基座组件，其特征在于，所述出口位于...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶如彬，吴昊，顾继强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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