MicroLED的生产方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro LED的生产方法，包括以下步骤：步骤1：利用厚度为150微米的蓝宝石制作硅基背板晶圆板，并在硅基背板晶圆板上高温生长氮化镓LED晶体；步骤2：采用多点吸取式工具吸取氮化镓LED晶体，使氮化镓LED晶体从硅基背板晶圆板上剥离；步骤3：对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割；步骤4：将氮化镓LED晶体与硅基晶体板结合成整体，制成Micro LED。本发明专利技术能降低硅基背板晶圆板弯曲和氮化镓LED晶体翘曲的情况发生，使氮化镓LED晶体能顺利制成Micro LED，提高Micro LED的生产质量。LED的生产质量。LED的生产质量。

【技术实现步骤摘要】
Micro LED的生产方法


[0001]本专利技术涉及维纳光学技术，尤其涉及一种Micro LED的生产方法。

技术介绍

[0002]Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。Micro LED由于具有亮度高、体积小，光效利用率高的优势，使得micro LED已经作为解决AR、VR等新电子设备的必要原件。尽管市场需求巨大，但是由于micro LED的生产主要基于GaN氮化镓的新一代半导体技术，产量和成熟度都有待提高。
[0003]由于Micro LED的氮化镓LED晶体的生长环境苛刻，需要在蓝宝石基底上高温(约900℃左右)生长，但目前的硅基背板晶圆板不能承受900℃的生长温度，容易出现受热不均和弯曲的情况，降低了氮化镓LED晶体的生长质量。因此，现有技术中制作micro LED的方法是：分别制作氮化镓LED晶体和硅基晶体板，再通过夹取工具夹取LED和硅基晶体板，并将两者结合形成一个整体，制成micro LED。
[0004]但是在实际过程中存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro LED的生产方法，其特征是：包括以下步骤：步骤1：利用厚度为150微米的蓝宝石制作硅基背板晶圆板，并在硅基背板晶圆板上高温生长氮化镓LED晶体；步骤2：采用多点吸取式工具吸取氮化镓LED晶体，使氮化镓LED晶体从硅基背板晶圆板上剥离；步骤3：对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割；步骤4：将氮化镓LED晶体与硅基晶体板结合成整体，制成Micro LED。2.根据权利要求1所述的Micro LED的生产方法，其特征是：所述的蓝宝石基底的表面粗糙度的PV值小于0.1微米。3.根据权利要求1所述的Micro LED的生产方法，其特征是：所述的多点吸取式工具设有若干个吸取端，使若干个吸取端能分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦雄奕，
申请(专利权)人：希姆通信息技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：