防拆检测电路、防拆检测装置以及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种防拆检测电路、防拆检测装置以及方法，该防拆检测电路包括第一输入端、第一开关、第一保险丝、第一检测端、控制检测电路以及控制器；第一输入端用于输入供电电源；第一开关用于在对待测器件执行拆卸操作后断开；控制检测电路用于在检测到第一开关断开后控制烧断所述第一保险丝，并切换控制检测电路的第一检测端的电平信号由第一电平至第二电平；控制器用于在第一检测端的电平信号为第二电平时，确定待测器件执行过拆卸操作。本发明专利技术利用保险丝烧断不可恢复的特征，若待测器件的外壳被拆机时触动第一开关，则会主动烧断第一保险丝，从而快速检测到待测器件被拆机，启动对应保护措施保护待测器件内存储的数据的安全性。安全性。安全性。

【技术实现步骤摘要】
防拆检测电路、防拆检测装置以及方法


[0001]本专利技术涉及工业安防的电路保护领域，尤其涉及一种防拆检测电路、防拆检测装置以及方法。

技术介绍

[0002]在工业安防领域，通过拆机在电路中添加后门检测电路，再通过运行系统以获取敏感数据，容易造成保密数据外泄。因此，目前对安全性要求较高的电子设备都设计有防拆检测功能，以防止外部获取保密数据。
[0003]市面上检测电子产品的保护盒是否曾经被拆卸过时，主要采用判断保护盒的外部粘贴的纸制标签是否破损。该方法不是真正意义上的防拆，虽然电子产品曾经被拆卸过，但是开机之后电子产品的任何功能都全部恢复正常，现有技术无法有效检测到该电子产品被拆卸过。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中利用检测纸制标签是否破损的方式无法有效的检测到电子产品是否被拆卸过的缺陷，提供一种防拆检测电路、防拆检测装置以及方法。
[0005]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种防拆检测电路，所述防拆检测电路包括：第一输入端、第一开关、第一保险丝、第一检测端、控制检测电路以及控制器；
[0007]所述第一开关的一端与所述第一输入端电连接，所述第一开关的另一端与所述控制检测电路电连接，所述第一保险丝的一端接地，所述第一保险丝的另一端与所述控制检测电路电连接；
[0008]所述第一输入端用于输入供电电源；
[0009]所述第一开关用于在对待测器件执行拆卸操作后断开；
[0010]所述控制检测电路用于在检测到所述第一开关断开后控制烧断所述第一保险丝，并切换所述控制检测电路的第一检测端的电平信号由第一电平至第二电平；
[0011]所述控制器用于在所述第一检测端的电平信号为第二电平时，确定所述待测器件执行过拆卸操作。
[0012]较佳地，所述控制检测电路包括第一PMOS管、第二输入端以及第一控制电路；
[0013]所述第一PMOS管的源极与所述第一控制电路电连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二输入端电连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第一开关电连接；
[0014]所述第二输入端用于输入额定电压；
[0015]所述第一控制电路用于在检测到所述第一开关断开后控制所述第一PMOS管的栅极的电平由第二电平降低到第一电平后，导通所述第一PMOS管的漏极和源极，以烧断所述第一保险丝。
[0016]较佳地，所述第一控制电路包括第三输入端、第二PMOS管以及第二控制电路；
[0017]所述第二PMOS管的漏极与所述第一PMOS管电连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第二控制电路电连接，所述第二PMOS管的源极与所述第三输入端电连接；
[0018]所述第三输入端用于输入供电电源；
[0019]所述第二控制电路用于控制所述第二PMOS管的栅极和源极的电平相同，以使所述第一PMOS管的源极的初始电平为第一电平。
[0020]较佳地，所述第二控制电路包括第一控制端、第一NMOS管、第一检测电路以及第二保险丝；
[0021]所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极与所述第二保险丝电连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一控制端电连接；
[0022]所述控制器用于在所述待测器件开机后通过所述第一控制端发送控制信号至所述第一NMOS管，以使所述第一NMOS管的栅极的电平由第一电平升高到第二电平，以烧断所述第二保险丝；
[0023]所述第一检测电路还用于在检测到所述第二保险丝烧断后控制所述第二PMOS管的源极和漏极的电平相同。
[0024]较佳地，所述第一检测电路包括第三检测端、第四输入端以及第二NMOS管；
[0025]所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极与所述第二PMOS管电连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第三检测端电连接；
[0026]所述第四输入端用于输入额定电压；
[0027]所述控制器还用于通过所述第三检测端的电平信号检测所述第二保险丝是否熔断。
[0028]较佳地，所述控制检测电路还包括：二极管、第一电阻以及第二电阻，所述二极管的一端与所述第一PMOS管的漏极电连接，所述二极管的另一端与所述第一检测端电连接，所述第二电阻的一端与所述二极管电连接，所述第二电阻的另一端与所述第二输入端电连接，所述第一电阻的一端接地，所述第一电阻的另一端与所述第一开关电连接；
[0029]和/或，
[0030]所述第一控制电路还包括：第三电阻以及第四电阻，所述第三电阻的另一端与所述第二输入端电连接，所述第四电阻的一端与所述第二PMOS管的栅极电连接，所述第四电阻的另一端接地；
[0031]和/或，
[0032]所述第二控制电路还包括：第五电阻以及第六电阻，所述第五电阻的一端与所述第一NMOS管的栅极电连接，所述第五电阻的另一端接地，所述第六电阻的一端与所述第一控制端电连接，所述第六电阻的另一端与所述第一NMOS管的栅极电连接；
[0033]和/或，
[0034]所述第一检测电路还包括：第七电阻以及第八电阻，所述第七电阻的一端与所述第二NMOS管的栅极电连接，所述第七电阻的另一端与所述第二保险丝电连接，所述第八电阻的一端与所述第三检测端电连接，所述第八电阻的另一端与所述第四输入端电连接。
[0035]较佳地，所述第二输入端和所述第四输入端的额定电压为1.8V；
[0036]和/或，所述二极管的导通压降小于等于0.1V。
[0037]较佳地，所述第一保险丝以及所述第二保险丝的额定电流为200mA。
[0038]第二方面，本专利技术还提供一种防拆检测装置，所述防拆检测系统包括如第一方面所述的防拆检测电路以及测试底座，所述防拆检测电路与所述测试底座电连接，所述防拆检测装置用于测试包括所述防拆检测电路的待测试电子产品是否被拆卸。
[0039]第三方面，本专利技术还提供一种防拆检测方法，应用于如第一方面所述的防拆检测电路实现的，所述防拆检测方法包括：
[0040]在检测到第一开关断开后控制烧断第一保险丝，并切换所述控制检测电路的第一检测端的电平信号由第一电平至第二电平；
[0041]在所述第一检测端的电平信号为所述第二电平时，确定待测器件执行过拆卸操作。
[0042]本专利技术的积极进步效果在于：提供一种防拆检测电路、防拆检测装置以及方法，利用保险丝烧断不可恢复的特征，若待测器件的外壳被拆机时触动第一开关，则会主动烧断第一保险丝，从而快速检测到待测器件被拆机，启动对应保护措施保护待测器件内存储的数据的安全性。
附图说明
[0043]图1为本专利技术实施例1的防拆检测电路的第一种实现方式的电路示意图。
[0044]图2为本专利技术实施例1的防拆检测电路的第二种实现方式的电路示意图。
[0045]图3为本专利技术实施例1的防拆检测电路的第三种实现方式的电路示意图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防拆检测电路，其特征在于，所述防拆检测电路包括：第一输入端、第一开关、第一保险丝、第一检测端、控制检测电路以及控制器；所述第一开关的一端与所述第一输入端电连接，所述第一开关的另一端与所述控制检测电路电连接，所述第一保险丝的一端接地，所述第一保险丝的另一端与所述控制检测电路电连接；所述第一输入端用于输入供电电源；所述第一开关用于在对待测器件执行拆卸操作后断开；所述控制检测电路用于在检测到所述第一开关断开后控制烧断所述第一保险丝，并切换所述控制检测电路的第一检测端的电平信号由第一电平至第二电平；所述控制器用于在所述第一检测端的电平信号为第二电平时，确定所述待测器件执行过拆卸操作。2.如权利要求1所述的防拆检测电路，其特征在于，所述控制检测电路包括第一PMOS管、第二输入端以及第一控制电路；所述第一PMOS管的源极与所述第一控制电路电连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二输入端电连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第一开关电连接；所述第二输入端用于输入额定电压；所述第一控制电路用于在检测到所述第一开关断开后控制所述第一PMOS管的栅极的电平由第二电平降低到第一电平后，导通所述第一PMOS管的漏极和源极，以烧断所述第一保险丝。3.如权利要求2所述的防拆检测电路，其特征在于，所述第一控制电路包括第三输入端、第二PMOS管以及第二控制电路；所述第二PMOS管的漏极与所述第一PMOS管电连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第二控制电路电连接，所述第二PMOS管的源极与所述第三输入端电连接；所述第三输入端用于输入供电电源；所述第二控制电路用于控制所述第二PMOS管的栅极和源极的电平相同，以使所述第一PMOS管的源极的初始电平为第一电平。4.如权利要求3所述的防拆检测电路，其特征在于，所述第二控制电路包括第一控制端、第一NMOS管、第一检测电路以及第二保险丝；所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极与所述第二保险丝电连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一控制端电连接；所述控制器用于在所述待测器件开机后通过所述第一控制端发送控制信号至所述第一NMOS管，以使所述第一NMOS管的栅极的电平由第一电平升高到第二电平，以烧断所述第二保险丝；所述第一检测电路还用于在检测到所述第二保险丝烧断后控制所述第二PMOS管的源极和漏极的电平相同。5.如权利要求4所述的防拆检测电路，其特征在于，所述第一检测电路包括第三检测端、第四输入端以及第二NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵陈钊，
申请(专利权)人：希姆通信息技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：