一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片技术

本发明专利技术实施例公开了一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片。该掺杂量子点的图形化衬底制备方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点；对所述异质层进行图形化，形成多个异质微结构，所述异质微结构中掺杂有所述量子点。本发明专利技术实施例解决了传统白光LED中荧光粉可靠性较低的问题，不仅可使异质微结构实现了光线激发转换LED颜色的功能，减少了封装过程中涂覆荧光粉的工艺步骤；同时还可以使量子点密封于异质微结构中，隔绝外部环境，克服传统涂覆荧光粉易于老化脱落的缺点，有助于实现色彩还原度好、抗老化变黄的白光LED。黄的白光LED。黄的白光LED。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片。

技术介绍

[0002]在传统白光LED的封装过程中，常采用蓝光InGaN芯片激发YAG黄色荧光粉而产生黄绿光，通过黄绿光与蓝光混合生产白光。这种白光LED色差还原性差，易受到YAG黄色荧光粉厚度的影响。此外，封装工艺通常采取荧光粉颗粒与有机聚合物混合、再将其涂覆在LED封装上的方法，此方法制备的混合物涂覆层热稳定性差，并且在长期光热条件下容易发生老化变黄，最终导致白光LED光效与可靠性的降低。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片，以在衬底中掺杂量子点，通过量子点激发混合形成白光。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种掺杂量子点的图形化衬底制备方法，包括：
[0005]提供一衬底基板；
[0006]在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂量子点的图形化衬底制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点；对所述异质层进行图形化，形成多个异质微结构，所述异质微结构中掺杂有所述量子点。2.根据权利要求1所述的图形化衬底制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点，包括：在异质材料中掺杂量子点；将掺杂有所述量子点的异质材料沉积在所述衬底基板上，形成异质层。3.根据权利要求1所述的图形化衬底制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点，包括：将异质材料沉积在所述衬底基板上，同时向沉积气体中动态注入量子点，形成所述异质层。4.根据权利要求2或3所述的图形化衬底制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成一层异质层，包括：采用物理气相沉积或气溶胶喷射工艺在所述衬底基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑桥，肖桂明，陆前军，
申请(专利权)人：广东中图半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：