外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法技术

本发明专利技术公开了外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法，其中的外延层的制备剥离方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；牺牲层包括第一生长工艺下生长的孔洞部和第二生长工艺下生长的平整部；在平整部上生长外延层；使用刻蚀液刻蚀牺牲层，将外延层从衬底上剥离；刻蚀液可进入孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。通过执行本发明专利技术中的方法，在采用刻蚀液(湿法刻蚀)进行外延层剥离解决激光剥离影响外延层和衬底质量的问题的同时，保证该方法中的外延层剥离效率。延层剥离效率。延层剥离效率。

【技术实现步骤摘要】
外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及到一种外延层的制备剥离方法及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料即宽禁带(Wide Band Gap Semiconductor，简称WBGS)半导体材料是继第一代硅、锗和第二代砷化镓、磷化铟等以后发展起来，伴随着更高要求、更严苛的条件而出现和发展的材料，实现了在高温、高频、大功率、强辐射、全波长等极端条件下的应用。
[0003]在第三代半导体材料中，氮化镓(GaN)对半导体器件的发展而言是至关重要的，氮化镓具有宽带隙、直接带隙、高击穿电场、较低的介电常数、高电子饱和漂移速度、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良性能，成为继硅、锗、砷化镓后制造新一代微电子器件和集成电路的关键性半导体材料。GaN基LED及GaN激光器等已实现产业化，因其亮度高、能耗小、体积薄、寿命长等特点，为社会生产生活带来极大的方便。氮化镓在极端条件下的适用性，使其成为微电子、电力电子、光电子等高新技术以及国防工业、信息产业、机电产业和能源产业本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延层的制备剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，并在所述衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；所述牺牲层包括所述第一生长工艺下生长的孔洞部和所述第二生长工艺下生长的平整部；在所述平整部上生长外延层；使用刻蚀液刻蚀所述牺牲层，将所述外延层从所述衬底上剥离；所述刻蚀液可进入所述孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的外延层的制备剥离方法，其特征在于，所述第一生长工艺和所述第二生长工艺均为在化学气相沉积反应室中进行，所述第一生长工艺中的温度低于所述第二生长工艺中的温度，所述第一生长工艺中的压力高于所述第二生长工艺中的压力。3.根据权利要求2所述的外延层的制备剥离方法，其特征在于，所述外延层的生长为在化学气相沉积反应室中进行。4.根据权利要求2所述的外延层的制备剥离方法，其特征在于，所述外延层为GaN层，所述牺牲层为N型掺杂GaN层。5.根据权利要求4所述的外延层的制备剥离方法，其特征在于，所述第一生长工艺中的温度为500～900℃，压力为200
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600torr；所述第二生长工艺中的温度为900
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1200℃，压力为40～200t...

【专利技术属性】
技术研发人员：常娟雄，黄永，汪琼，陈财，刘晓磊，邵语嫣，程晨言，王宇轩，李梹激，许琦辉，王霄，杨旭豪，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：