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本发明实施例公开了一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片。该掺杂量子点的图形化衬底制备方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点；对所述异质层进行图形化，形成多个异质微结构，...
该专利属于广东中图半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东中图半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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