一种LED芯片制备方法技术

本发明专利技术提供一种LED芯片制备方法，获取原始晶圆，并将原始晶圆的一面通过透明基板与陶瓷盘贴合，将陶瓷盘为放置基底，对原始晶圆的另一面进行减薄处理，以得到减薄后的晶圆，去除陶瓷盘以将透明基板与第一白膜进行贴合，并将第一白膜为放置基底，对减薄后的晶圆进行划片，再在划片后的晶圆上贴合第二白膜，对透明基板进行减粘以去除透明基板和第一白膜，并在去除后的划片后的晶圆的面上覆盖保护膜，以第二白膜为放置基底，对覆盖有保护膜的划片后的晶圆进行裂片，得到目标芯片。解决现有技术中因制备工艺会对芯片产生压力，加之芯片自身存在应力且厚度过薄而发生翘曲，从而导致芯片碎片的技术问题。片的技术问题。片的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种LED芯片制备方法

技术介绍

[0002]发光二极管以其节能、高亮、耐久性高、寿命长、轻巧等优势广泛应用于普通照明，特种照明、景观照明、植因照明、户外显示，户内显示、液晶显示等领域。
[0003]常规发光二极管视应用端不同，厚度介于70～300μm，此类发光二极管在厚度减薄过程中搭配相应的设备已可稳定量产，但随着各种显示类产品的迭代，市场逐渐对发光二极管提出了更小，更薄的需求，在特殊需求下的发光二极管厚度往往需减薄至10～60μm，甚至更低。
[0004]现有设备及工艺在制作70μm一下的产品时，碎片率逐级提升，60μm时碎片率增至80％以上，更薄的产品碎片率已达100％。这样的碎片率明显不满足生产需求，极大地拉高的制造成本，而现有技术制备芯片的碎片率过高的原因在于：芯片在制备的过程中需要进行如减薄、划片和裂片等等工艺，而这些工艺在操作时会对芯片产生一定的压力，加之芯片自身存在应力且厚度过薄而发生翘曲，从而导致芯片碎片。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一原始晶圆，并将所述原始晶圆通过透明基板与陶瓷盘贴合；将所述陶瓷盘为放置基底，对所述陶瓷盘上的所述原始晶圆进行减薄处理，以得到减薄后的晶圆；去除所述陶瓷盘以将所述透明基板与第一白膜进行贴合，并将所述第一白膜为放置基底，对所述减薄后的晶圆进行划片，再在划片后的晶圆上贴合第二白膜；对所述透明基板进行减粘以去除所述透明基板和所述第一白膜，并在去除后的所述划片后的晶圆的面上覆盖保护膜；以所述第二白膜为放置基底，对覆盖有所述保护膜的所述划片后的晶圆进行裂片，得到目标芯片。2.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，并将所述原始晶圆通过透明基板与陶瓷盘贴合的步骤包括:在所述原始晶圆的一面生成电极层，所述电极层远离所述原始晶圆的一面通过紫外减粘胶与所述透明基板粘合；在所述陶瓷盘上面涂覆粘接蜡，所述透明基板远离所述电极层的一面通过粘接蜡与所述陶瓷盘贴合。3.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，对所述陶瓷盘上的所述原始晶圆进行减薄处理的步骤包括：所述减薄是将所述原始晶圆减薄至100～300μm。4.根据权利要求3所述的LED芯片制备方法，其特征在于，去除所述陶瓷盘以将所述透明基板与第一白膜进行贴合的步骤之前还包括：研磨，所述研磨是将所述减薄后的晶圆研磨至10～70μm；抛光，所述抛光是将研磨后的晶圆进行抛光。5.根据权利要求2所述的LED芯片制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁洋，张雪，李文涛，简弘安，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：