【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
[0001]提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。此外，提出一种光电子半导体芯片。
技术实现思路
[0002]要实现的目的在于，提出一种用于制造具有高的效率的相对小的光电子半导体芯片的方法。
[0003]所述目的尤其通过具有权利要求1的特征的方法来实现。优选的改进方案是其余权利要求的主题。
[0004]根据至少一个实施方式，方法用于制造光电子半导体芯片。制成的半导体芯片尤其是发光二极管芯片，简称LED芯片。替选地，可以制造激光二极管芯片，例如表面发射的激光二极管芯片或还有边缘发射的激光二极管芯片。还可行的是，光电子半导体芯片是探测器芯片，尤其是光电二极管。
[0005]根据至少一个实施方式，所述方法包括步骤：生长半导体层序列。尤其，在生长衬底上沿着生长方向生长半导体层序列。生长衬底尤其是GaAs衬底。
[0006]半导体层序列优选基于III
‑
V族化合物半导体材料。特别优选地，半导体层序列基于磷化物材料体系AlInGaAsP...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法，所述方法包括以给定的顺序的以下步骤：A)在生长衬底(2)上沿着生长方向(G)生长AlInGaAsP半导体层序列(3)，其中所述半导体层序列(3)包括用于产生辐射的有源区(33)，并且所述有源区(33)由多个彼此交替的量子阱层(61)和势垒层(62)组成；B)产生结构化的掩模层(5、34)；C)在至少一个混匀区域(51)中借助于将混匀辅助材料(55)穿过所述掩模层(5、34)的开口(50)施加到所述有源区(33)中来局部地混匀所述量子阱层(61)和所述势垒层(62)；并且D)将所述半导体层序列(3)分割成用于所述半导体芯片(1)的子区域(39)，其中所述势垒层(62)在步骤A)中由[(Al
x
Ga1‑
x
)
y
In1‑
y
]
z
P1‑
z
生长，其中x≥0.5，尤其是x≥0.6，并且所述量子阱层(61)在步骤A)中由[(Al
a
Ga1‑
a
)
b
In1‑
b
]
c
P1‑
c
生长，其中0＜a≤0.2。2.根据上一项权利要求所述的方法(1)，其中
‑
所述掩模层通过所述半导体层序列(3)的p型接触层(34)形成，
‑
所述p型接触层(34)在步骤B)中完全由所述开口(50)穿透，
‑
所述p型接触层(34)包括Al
v
Ga1‑
v
As，其中v≤0.35，
‑
在步骤C)中的混匀沿着所述生长方向(G)完全穿过所述有源区(33)进行，
‑
在步骤D)中的分割仅在所述至少一个混匀区域(51)中进行，
‑
0.47≤y≤0.53以及0.47≤z≤0.53，并且
‑
0.47≤b≤0.53以及0.47≤z≤0.53。3.根据上一项权利要求所述的方法(1)，其中所述有源区(33)位于第一半导体区域(31)和第二半导体区域(32)之间，并且所述p型接触层(34)是所述第二半导体区域(32)的在步骤A)之后距所述有源区(33)距离最远的子层，其中所述开口(50)穿过所述p型接触层(34)在朝向所述有源区(33)的方向上伸展到其余的第二半导体区域(35)中至少50nm并且在距所述有源区(33)至少200nm的间距处终止。4.根据上述权利要求中任一项所述的方法(1)，其中制成的半导体芯片(1)是发光二极管芯片，其中在步骤D)中，用于所述半导体芯片(1)的子区域(39)分别具有最高100μm的平均边长。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法(1)，其中在步骤D)之后，所述至少一个混匀区域(51)沿垂直于所述生长方向(G)的方向伸展进入所述有源区(33)中至少0.1μm和最高0.5μm。6.根据上述权利要求中任一项所述的方法(1)，其中所述至少一个混匀区域(51)平行于所述生长方向(G)完全穿过所述半导体层序列(3)伸展。7.根据上述权利要求中任一项所述的方法(1)，其中
‑
在步骤A)之后存在3个和30之间、其中包含边界值的所述量子阱层...
【专利技术属性】
技术研发人员：费利克斯，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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