【技术实现步骤摘要】
一种晶圆及提升电镀凸块高度均匀性的方法
[0001]本申请涉及半导体封装的领域，尤其是涉及一种晶圆及提升电镀凸块高度均匀性的方法。
技术介绍
[0002]晶圆级封装属于“晶圆封装后再切割”的方式，采用了集成电路芯片制造厂中的晶圆作业模式，即在整片晶圆上完成封装后再切割，一次性得到大量成品芯片。
[0003]晶圆凸点技术（Bumping）是晶圆级封装的关键技术之一。倒装（FC，Flip Chip）即是通过晶圆级封装的凸点工艺在芯片的电气层表面形成一层呈阵列排布的金属凸点（Bump），然后将金属凸点直接与基板连接，形成电气互联。随着晶圆制造工艺的发展，芯片尺寸越来越小，同时伴随产品功能需求的增加，芯片表面I/O密度越来越高。出于芯片空间及产品电性能的多重考虑，单颗芯片内根据管脚功能的不同设计不同尺寸的金属凸块的设计方案得到了越来越多的应用和发展针对上述中的相关技术，专利技术人认为由于金属凸块尺寸的不同，电镀的金属凸块（Cu+n）经回流后会产生高度差，且金属凸块尺寸差距越大则金属凸块的高度差越大。当金属凸块的高度差超过倒装...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提升电镀凸块高度均匀性的方法，应用于具有同一芯片（1）的晶圆，其特征在于，包括以下步骤：获取不同尺寸的成型金属凸块之间的高度差信息，定义高度最高的成型金属凸块为目标金属凸块（3），定义其余的成型金属凸块为区别金属凸块（2）；于产品晶圆上溅射形成电镀种子层（7）；于电镀种子层（7）上涂胶、曝光、显影形成初始光阻层（8），所述初始光阻层（8）上设置有开口，以露出区别金属凸块（2）对应的焊盘（4）；于初始光阻层（8）的开口处电镀形成金属垫块（9），其中，金属垫块（9）的高度等于高度差信息所对应的高度值；去除初始光阻层（8）后重新于电镀种子层（7）上涂胶、曝光、显影形成最终光阻层（10），所述最终光阻层（10）上设置有开口，以露出所有成型金属凸块对应的焊盘（4）；于最终光阻层（10）的开口处电镀形成初步金属凸块；去除最终光阻层（10）和电镀种子层（7）；将产品晶圆回流形成成型金属凸块。2.根据权利要求1所述的一种提升电镀凸块高度均匀性的方法，其特征在于，获取成型金属凸块的高度差信息的方法包括：于测试晶圆上溅射形成电镀种子层（7）；于电镀种子层（7）上涂胶、曝光、显影形成最终光阻层（10），所述最终光阻层（10）上设置有开口，以露出所有成型金属凸块对应的焊盘（4）；于最终光阻层（10）的开口处电镀形成初步金属凸块；去除最终光阻层（10）后将测试晶圆回流形成成型金属凸块；测量成型金属凸块的高度后计算得到高度差信息。3.根据权利要求1所述的一种提升电镀凸块高度均匀性的方法，其特征在于：所述初始光阻层（8）的开口和区别金属凸块（2）一一对应，且开口尺寸均大于区别金属凸块（2）的尺寸，所述最终光阻层（10）的开口尺寸等于对应的所有金属凸块的尺寸。4.根据权利要求2所述的一种提升电镀凸块高度均匀性的方法，其特征在于：于测试晶圆或者产品晶圆上溅射形成电镀种子层（7）前，包括以下步骤：通过涂胶、曝光、显影和固化形成PI保护层（6），所述PI保护层（6）上设置有开口，以露出所有成型金属凸块对应的焊盘（4）。5.根据权利要求1所述的一种提升电镀凸块高度均匀性的方法，其特征在于：若存在至少三种尺寸的金属凸块时，高度差信息的获取方法包括以下步骤：将不同尺寸的成型金属凸块按照尺寸从大到小进行排序以形成成型金属凸块序列；将成型金属凸块序列中的成型金属凸块逐一计算与目标金属凸块（3）之间的目标高度差以形成目标高度差序列；计算目标高度差序列中的目标高度差之间的平均值以形成目标高度差信息。6.根据权利要求5所述的一种提升电镀凸块高度均匀性的方法，其特征在于：若存在至少三种尺寸的金属凸块时，于初始光阻层（8）的开口处电镀形成金属垫块（9）以及去除初始光阻层（8）后重新于电镀种子层（7）上涂胶、曝光、显影形成最终光阻层（10），最终光阻层（10）上设置有开口，以露出所有成型金属凸块对应的焊盘（4）的步骤之间还可以包括以下
步骤：根据成型金属凸块序列中相邻的成型金属凸块以计算相邻高度差信息以形成相邻高度差序列；根据成型金属凸块序列中的当前成型金属凸块以及与该当前成型金属凸块相互对应的相邻高...
【专利技术属性】
技术研发人员：李春阳，方梁洪，彭祎，罗立辉，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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