一种用于SAWfilterCSP形式的封装结构制造技术

本发明专利技术提出了一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，所述封装结构包括芯片组；所述芯片组内的多个芯片中的部分芯片嵌入设置于所述封装结构的基板内，所述芯片组内的多个芯片中的另一部分芯片嵌入设置于所述封装结构的盖板内；所述基板内设置有多个金属铜层；所述金属铜层用于对嵌入设置于所述封装结构的基板内的芯片和嵌入设置于所述封装结构的盖板内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。板内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。板内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。

【技术实现步骤摘要】
一种用于SAW filter CSP形式的封装结构


[0001]本专利技术提出了一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，属于芯片封装


技术介绍

[0002]在薄膜式滤波器不断应用于工业领域，随着薄膜式滤波器应用的广泛和现在工业技术应用指标的不断要求，需要薄膜式滤波器体积逐渐做小，然而，由于薄膜式滤波器的晶圆芯片、盖板和基板三层结构的设置，导致薄膜式滤波器厚度始终无法继续做小，导致封装厚度过大的问题一直存在。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，用以解决现有芯片封装电磁干扰强以及封装厚度过大的问题，所采取的技术方案如下：一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，所述封装结构包括芯片组；所述芯片组内的多个芯片中的部分芯片嵌入设置于所述封装结构的基板10内，所述芯片组内的多个芯片中的另一部分芯片嵌入设置于所述封装结构的盖板11内；所述基板10内设置有多个金属铜层；所述金属铜层用于对嵌入设置于所述封装结构的基板10内的芯片和嵌入设置于所述封装结构的盖板11内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。
[0004]进一步地，所述基板10和盖板11之间设置有钝化层；并且，所述钝化层设置有焊点孔位；所述焊点孔位中设置有金属焊点8；所述金属焊点将所述嵌入设置于所述封装结构的盖板11内的芯片与所述金属铜层之间建立电信号连接。
[0005]进一步地，所述芯片组包括第一芯片1、第二芯片2和第三芯片3；所述第一芯片1内嵌于所述基板10内；所述第二芯片2和第三芯片3内嵌于所述盖板11内。
[0006]进一步地，所述金属铜层包括第一基板金属铜层4、第二基板金属铜层5、第三基板金属铜层6和第四基板金属铜层7；所述第一基板金属铜层4设置于所述芯片组中的第一芯片1的外围，并且，将所述第一芯片1与所述第二芯片2的焊点信号端进行电连接；所述第二基板金属铜层5设置于所述第一基板金属铜层4和第四基板金属铜层7之间的基板空间内；所述第三基板金属铜层6布设于所述基板10的内部并位于所述基板非设置盖板一侧的底面处；所述第四基板金属铜层7设置于所述第三芯片3下方，并将所述第三芯片3与第三基板金属铜层6之间进行连接。
[0007]进一步地，所述第一基板金属铜层4包括第一子铜层41和第二子铜层42；所述第一子铜层41和第二子铜层42分别位于所述第二芯片2的两个金属焊点8的下方，并与所述两个金属焊点8连接。
[0008]进一步地，所述第一子铜层41包括上连接铜带、外围部和下连接铜带；所述外围部包括两条纵向铜带和两条横向铜带；所述两条纵向铜带和两条横向铜带围成为矩形结构；所述第一芯片1设置于所述矩形结构结构内的基板中；所述外围部的靠近盖板一侧的横向
铜带通过上连接铜带与所述第二芯片2的与所述第一子铜层41对应的金属焊点8之间建立连接；所述外围部的靠近非设置盖板一侧的横向铜带上设置有下连接铜带；所述下连接铜带与所述第一芯片1之间建立电连接。
[0009]进一步地，所述第二基板金属铜层5包括上横向铜带、纵向铜带和下横向铜带；所述纵向铜带垂直设置于所述上横向铜带和下横向铜带之间。
[0010]进一步地，所述上横向铜带与所述第二基板金属铜层5的高度与所述第二基板金属铜层5中的靠近盖板一侧的横向铜带的高度相同，并且，所述下横向铜的高度范围满足如下条件：0.35H≤H1≤0.60H其中，H1表示所述第二基板金属铜层5的下横向铜与基板的非设置盖板一侧的底面之间的垂直距离；H表示所述第一基板金属铜层4的第一子铜层41中的靠近盖板一侧的横向铜带与基板的非设置盖板一侧的底面之间的垂直距离。
[0011]进一步地，所述第四基板金属铜层7包括子铜带一71和子铜带二72；所述子铜带一71和子铜带二72分别位于所述第三芯片3的两个金属焊点8的下方，并与所述两个金属焊点8连接；并且，所述铜带一71将所述第三芯片3的一个金属焊点8与所述第三基板金属铜层6进行连接。
[0012]进一步地，所述子铜带一71包括上连接铜带、第一横向铜带、第二横向铜带、第一纵向铜带和第二纵向铜带；所述上连接铜带的一端连接所述第三芯片3对应的一个金属焊点8；所述上连接铜带的另一端连接所述第一横向铜带；所述第一横向铜带与所述第一纵向铜带的一端连接；所述第一纵向铜带的另一端与所述第二横向铜带连接；所述第二横向铜带与第二纵向铜带的一端连接；所述第二纵向铜带的另一端与所述第三基板金属铜层6连接；其中，所述第一纵向铜带和第二纵向铜带错位设置，不再同一条纵向直线上，并且，所述第一纵向铜带和第二纵向铜带错位设置时，所述第一纵向铜带和第二纵向铜带之间的相距距离满足如下条件：0.30L2≤D≤0.61L2其中，D表示所述第一纵向铜带和第二纵向铜带之间的相距距离，L2表示所述第二横向铜带的长度；同时，所述第一横向铜带和第二横向铜带之间的长度比例满足如下条件：0.50L1≤L2≤0.82L1其中，L1和L2分别表示第一横向铜带和第二横向铜带的长度。
[0013]本专利技术有益效果：本专利技术提出的一种用于SAW filter CSP形式的封装结构通过将芯片内嵌于盖板和基板中的结构形式去除封装时芯片占用的独立空间，进而在厚度上有效降低薄膜式滤波器的厚度尺寸。同时，由于芯片内嵌于盖板和基板中的结构导致芯片均设置于实体结构中，导致芯片在进行高频振动时易产生物理振动和电磁在实体结构中的高传导性，进而影响薄膜式滤波器的运行性能，因此，通过在基板中设置横向及纵向延展的金属铜层以及金属铜层的结构形状和尺寸比例，有效提高电磁干扰的屏蔽性能和阻断分解物理振动的振波传导，进而提高薄膜式滤波器的运行稳定性。
附图说明
[0014]图1为本专利技术所述封装结构的盖板结构示意图；图2为本专利技术所述封装结构的基板结构示意图；图3为本专利技术所述封装结构的整体结构示意图；（1，第一芯片；2，第二芯片；3，第三芯片；4，第一基板金属铜层；5，第二基板金属铜层；6，第三基板金属铜层；7，第四基板金属铜层；8，金属焊点；9，钝化层；10，基板；11，盖板；41，第一子铜层；42，第二子铜层；71，子铜带一；72，子铜带二）。
具体实施方式
[0015]以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0016]本专利技术实施例提出了一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，如图1至图3所示，所述封装结构包括芯片组；所述芯片组内的多个芯片中的部分芯片嵌入设置于所述封装结构的基板10内，所述芯片组内的多个芯片中的另一部分芯片嵌入设置于所述封装结构的盖板11内；所述基板10内设置有多个金属铜层；所述金属铜层用于对嵌入设置于所述封装结构的基板10内的芯片和嵌入设置于所述封装结构的盖板11内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。
[0017]同时，所述基板10和盖板11之间设置有钝化层；并且，所述钝化层9设置有焊点孔位；所述焊点孔位中设置有金属焊点8；所述金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括芯片组；所述芯片组内的多个芯片中的部分芯片嵌入设置于所述封装结构的基板（10）内，所述芯片组内的多个芯片中的另一部分芯片嵌入设置于所述封装结构的盖板（11）内；所述基板（10）内设置有多个金属铜层；所述金属铜层用于对嵌入设置于所述封装结构的基板（10）内的芯片和嵌入设置于所述封装结构的盖板（11）内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。2.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述基板（10）和盖板（11）之间设置有钝化层；并且，所述钝化层设置有焊点孔位；所述焊点孔位中设置有金属焊点（8）；所述金属焊点将所述嵌入设置于所述封装结构的盖板（11）内的芯片与所述金属铜层之间建立电信号连接。3.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述芯片组包括第一芯片（1）、第二芯片（2）和第三芯片（3）；所述第一芯片（1）内嵌于所述基板（10）内；所述第二芯片（2）和第三芯片（3）内嵌于所述盖板（11）内。4.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述金属铜层包括第一基板金属铜层（4）、第二基板金属铜层（5）、第三基板金属铜层（6）和第四基板金属铜层（7）；所述第一基板金属铜层（4）设置于所述芯片组中的第一芯片（1）的外围，并且，将所述第一芯片（1）与所述第二芯片（2）的焊点信号端进行电连接；所述第二基板金属铜层（5）设置于所述第一基板金属铜层（4）和第四基板金属铜层（7）之间的基板空间内；所述第三基板金属铜层（6）布设于所述基板（10）的内部并位于所述基板非设置盖板一侧的底面处；所述第四基板金属铜层（7）设置于所述第三芯片（3）下方，并将所述第三芯片（3）与第三基板金属铜层（6）之间进行连接。5.根据权利要求4所述封装结构，其特征在于，所述第一基板金属铜层（4）包括第一子铜层（41）和第二子铜层（42）；所述第一子铜层（41）和第二子铜层（42）分别位于所述第二芯片（2）的两个金属焊点（8）的下方，并与所述两个金属焊点（8）连接。6.根据权利要求5所述封装结构，其特征在于，所述第一子铜层（41）包括上连接铜带、外围部和下连接铜带；所述外围部包括两条纵向铜带和两条横向铜带；所述两条纵向铜带和两条横向铜带围成为矩形结构；所述第一芯片（1）设置于所述矩形结构内的基板中；所述外围部的靠近盖板一侧的横向铜带通过上连接铜带与所述第二芯片（2）...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零三H九一零，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：