一种用于SAWfilterCSP形式的封装结构制造技术

本发明专利技术提出了一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，所述封装结构包括芯片组；所述芯片组内的多个芯片中的部分芯片嵌入设置于所述封装结构的基板内，所述芯片组内的多个芯片中的另一部分芯片嵌入设置于所述封装结构的盖板内；所述基板内设置有多个金属铜层；所述金属铜层用于对嵌入设置于所述封装结构的基板内的芯片和嵌入设置于所述封装结构的盖板内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。板内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。板内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。

【技术实现步骤摘要】
一种用于SAW filter CSP形式的封装结构


[0001]本专利技术提出了一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，属于芯片封装


技术介绍

[0002]在薄膜式滤波器不断应用于工业领域，随着薄膜式滤波器应用的广泛和现在工业技术应用指标的不断要求，需要薄膜式滤波器体积逐渐做小，然而，由于薄膜式滤波器的晶圆芯片、盖板和基板三层结构的设置，导致薄膜式滤波器厚度始终无法继续做小，导致封装厚度过大的问题一直存在。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，用以解决现有芯片封装电磁干扰强以及封装厚度过大的问题，所采取的技术方案如下：一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，所述封装结构包括芯片组；所述芯片组内的多个芯片中的部分芯片嵌入设置于所述封装结构的基板10内，所述芯片组内的多个芯片中的另一部分芯片嵌入设置于所述封装结构的盖板11内；所述基板10内设置有多个金属铜层；所述金属铜层用于对嵌入设置于所述封装结构的基板10内的芯片和嵌入设置于所述封装结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括芯片组；所述芯片组内的多个芯片中的部分芯片嵌入设置于所述封装结构的基板（10）内，所述芯片组内的多个芯片中的另一部分芯片嵌入设置于所述封装结构的盖板（11）内；所述基板（10）内设置有多个金属铜层；所述金属铜层用于对嵌入设置于所述封装结构的基板（10）内的芯片和嵌入设置于所述封装结构的盖板（11）内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。2.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述基板（10）和盖板（11）之间设置有钝化层；并且，所述钝化层设置有焊点孔位；所述焊点孔位中设置有金属焊点（8）；所述金属焊点将所述嵌入设置于所述封装结构的盖板（11）内的芯片与所述金属铜层之间建立电信号连接。3.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述芯片组包括第一芯片（1）、第二芯片（2）和第三芯片（3）；所述第一芯片（1）内嵌于所述基板（10）内；所述第二芯片（2）和第三芯片（3）内嵌于所述盖板（11）内。4.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述金属铜层包括第一基板金属铜层（4）、第二基板金属铜层（5）、第三基板金属铜层（6）和第四基板金属铜层（7）；所述第一基板金属铜层（4）设置于所述芯片组中的第一芯片（1）的外围，并且，将所述第一芯片（1）与所述第二芯片（2）的焊点信号端进行电连接；所述第二基板金属铜层（5）设置于所述第一基板金属铜层（4）和第四基板金属铜层（7）之间的基板空间内；所述第三基板金属铜层（6）布设于所述基板（10）的内部并位于所述基板非设置盖板一侧的底面处；所述第四基板金属铜层（7）设置于所述第三芯片（3）下方，并将所述第三芯片（3）与第三基板金属铜层（6）之间进行连接。5.根据权利要求4所述封装结构，其特征在于，所述第一基板金属铜层（4）包括第一子铜层（41）和第二子铜层（42）；所述第一子铜层（41）和第二子铜层（42）分别位于所述第二芯片（2）的两个金属焊点（8）的下方，并与所述两个金属焊点（8）连接。6.根据权利要求5所述封装结构，其特征在于，所述第一子铜层（41）包括上连接铜带、外围部和下连接铜带；所述外围部包括两条纵向铜带和两条横向铜带；所述两条纵向铜带和两条横向铜带围成为矩形结构；所述第一芯片（1）设置于所述矩形结构内的基板中；所述外围部的靠近盖板一侧的横向铜带通过上连接铜带与所述第二芯片（2）...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零三H九一零，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：