TC-SAW器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种TC

【技术实现步骤摘要】
TC
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SAW器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及具有piston结构的TC
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SAW器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)器件是基于压电材料的压电效应，利用压电材料表面的声表面波来工作的电子器件，其利用形成于压电材料表面的叉指换能器(IDT：Interdigital Transducer)(一种金属电极结构，其形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案)将电输入信号转换为声表面波。
[0003]随着信息技术的高速发展，声表面波滤波器广泛应用于各类通讯设备、数据传输设备、视听设备和定位导航设备等。特别地，半导体技术的日渐成熟满足了高性能、小型化SAW滤波器的制造需求，此外射频前端模块的需求量与日俱增，这些都为SAW滤波器的发展带来良好的市场前景和机遇。然而，面对机遇的同时同样也需要面临挑战，当前的挑战主要来源于人们对性能的要求，如品质因素Q、有效机电耦合系数、插入损耗、带宽等。

技术实现思路

[0004]专利技术所要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TC
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SAW器件，其特征在于，包括：衬底层；形成在所述衬底层上的叉指电极；形成在所述叉指电极上的活塞部；连接所述叉指电极的汇流条；以及覆盖所述叉指电极、所述活塞部和所述汇流条的温度补偿层，其中，所述叉指电极包含作为真指的第1电极和作为假指的第2电极，所述第1电极和所述第2电极在垂直于所述汇流条的方向上隔开间隙相向地配置，在平行于所述汇流条的方向上隔开间隔交错地配置，由所述第1电极构成的第1电极组以及由所述第2电极构成的第2电极组在所述衬底层上分别构成叉指结构，所述活塞部形成在所述第1电极的末端，并且形成在所述汇流条的与所述第1电极相连接的部位处，位于同一所述汇流条上的所述第1电极的末端的所述活塞部彼此是平齐的，位于同一所述汇流条上的所述活塞部彼此也是平齐的。2.如权利要求1所述的TC
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SAW器件，其特征在于，在所述汇流条的与所述第2电极相连接的部位处也形成有所述活塞部，位于同一所述汇流条上的所述活塞部彼此是平齐的。3.如权利要求1所述的TC
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SAW器件，其特征在于，在所述第2电极的末端也形成有所述活塞部，位于同一所述汇流条上的所述第2电极的末端的所述活塞部彼此是平齐的。4.一种TC
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SAW器件，其特征在于，包括：衬底层；形成在所述衬底层上的叉指电极；形成在所述叉指电极上的活塞部；连接所述叉指电极的汇流条；以及覆盖所述叉指电极、所述活塞部和所述汇流条的温度补偿层，其中，所述叉指电极包含作为真指的第1电极和作为假指的第2电极，所述第1电极和所述第2电极在垂直于所述汇流条的方向上隔开间隙相向地配置，在平行于所述汇流条的方向上隔开间隔交错地配置，由所述第1电极构成的第1电极组以及由所述第2电极构成的第2电极组在所述衬底层上分别构成叉指结构，所述活塞部形成在所述第1电极的末端，并且形成在所述汇流条的与所述第2电极相连接的部位处，位于同一所述汇流条上的所述第1电极的末端的所述活塞部彼此是平齐的，位于同一所述汇流条上的所述活塞部彼此也是平齐的。5.如权利要求4所述的TC
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SAW器件，其特征在于，在所述第1电极的靠近所述汇流条的部位处还设有所述活塞部。6.如权利要求1至5中任一项所述的TC
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SAW器件，其特征在于，
所述活塞部完全投影在所述叉指电极内。7.如权利要求1至5中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：许欣，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：