【技术实现步骤摘要】
一种新型的声表面波滤波器结构及其制备方法
[0001]本专利技术实施例涉及声表面波滤波器
，尤其是一种声表面波滤波器的结构和制备方法。
技术介绍
[0002]滤波器在射频通信、卫星通信等的信号滤波领域具有重要的应用价值。传统的LC或陶瓷类陷波滤波器具有体积较大和重量大，易受到外界干扰等缺点，限制了它们的应用范围。因此，集成的小型的片上陷波滤波器在小型化射频设备、空天装备上具有重要的应用价值，尤其是其小体积和轻重量的优点。目前的工艺还是集中于传统的半导体工艺如光刻、刻蚀、镀膜等工艺。在制作多个临近频率点的滤波器时候，需要单独制作多个滤波器，制作完成以后，想要调节该类器件的工作频率，就需要重新设计，重复原来的制作工艺，因此很难利用工艺改变已有器件的工作频率点，从而获得需要的目标频率器件。
技术实现思路
[0003]为解决上述技术问题，本专利技术创造的实施例采用的一个技术方案是：
[0004]一种声表面波滤波器结构，声表面波滤波器的芯片上包括周期性排列的多个插指电极和反射栅，其中，每个插指电极和反射栅在厚度方向上包括阶梯状的多层，每层之间按照预设尺寸存在偏差。
[0005]进一步地，每个插指电极和反射栅在厚度方向上包括阶梯状的两层。
[0006]一种声表面波滤波器的制备方法，包括下述步骤：
[0007]利用双光子聚合工艺分别在基底上制备基板插指结构和套刻插指结构，得到第一掩膜版和第二掩膜版，其中，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版均包括镂空型的多个插指电极和反射栅；>[0008]将所述第一掩膜版与待处理的声表面波滤波器的芯片进行对版，并将所述第一掩膜版置于所述芯片的表面的压电基底进行镀膜得到插指电极和反射栅；
[0009]按照预设的偏差尺寸将所述第二掩膜版与所述待处理的声表面波滤波器的芯片进行对版，并将所述第二掩膜版置于已镀膜的芯片表面在镀膜得到插指电极和反射栅上进行二次镀膜，得到周期性排列的在厚度方向上具有多个阶梯层的插指电极和反射栅。
[0010]进一步地，包括：
[0011]按照预设的排列周期将光刻胶粘贴于基底表面；
[0012]利用激光入射光刻胶使得所述激光与所述光刻胶产生双光子聚合效应产生微小光斑以对所述光刻胶进行光固化得到的微腔结构为所述插指电极；
[0013]通过丙酮对固化后的镂空基底进行剥离得到第一掩膜版和第二掩膜版，其中，第一掩膜版和第二掩膜版的厚度为10
‑
200um。
[0014]进一步地，将多片预设尺寸的光刻胶按照预设的排列周期粘贴于所述基底表面，通过基底固定架将所述基底固定于载物片上，利用将激光通过载物片入射光刻胶，产生光
斑，以使得光斑对光刻胶进行固化得到多个镂空型的周期性插指电极和反射栅结构。
[0015]进一步地，第一掩模版的镀膜厚度为100
‑
200nm，套刻镀膜的第二掩模版的厚度在10
‑
200nm。
[0016]进一步地，包括：所述第一掩膜版和所述第二掩膜版中镂空型的周期性排列的多个插指电极的宽度和缝宽为0.1～10um。
[0017]进一步地，反射栅至少为50对。
[0018]进一步地，所述镀膜的基底为铌酸锂、碳酸锂、氮化铝、氧化锌等其中的一种。
[0019]进一步地，压电基底的厚度为30～500um，载物片的厚度为100～170um。
[0020]本专利技术实施例提出一种新型的声表面波滤波器结构，其中的阶梯形插叉指电极和阶梯形反射栅在厚度方向上存在阶梯，如此结构，可以方便改变叉指电极和反射栅的排列周期进而改变声表面波滤波器器件的工作频率，通过该制备方法可以在已有芯片结构的基础上，通过包含多个插指电极和反射栅的第一掩膜版与第二掩膜版进行微小错位后镀膜制备叉指电极和反射栅，该方法通过改变插指电极和反射栅的排列周期进而改变声表面波滤波器器件的工作频率，节约了设计声表滤波器的工艺流程和成本。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1，2和3为本专利技术实施例提供的阶梯型结构的声表滤波器结构图、放大的插指电极和反射栅结构图。
[0023]图4和图5为本专利技术实施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版的结构示意图。
具体实施方式
[0024]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0025]如图1、2和3所示的一种声表面波滤波器的结构图，以及放大的插指电极和反射栅结构图，声表面波滤波的芯片上包括周期性排列的多个插指电极和反射栅，其中，每个插指电极和反射栅在厚度方向上包括阶梯状的多层，每层之间按照预设尺寸存在偏差。
[0026]具体地，每个插指电极和反射栅在厚度方向上包括阶梯状的两层。
[0027]具体地，插指电极的个数N1和N2至少为50对，反射栅至少为50对。优选地，插指电极的宽度和缝宽为0.5～1.5um，反射栅至少为75对，孔径长度150
‑
200um，优选为167.6um。
[0028]本专利技术的一个实施例，对于钽酸锂42度切基底的1.2GHz的SAW滤波器，第一掩模版和第二掩膜版叉指电极和缝宽以及反射栅宽度和缝宽取为0.838um，N1和N2取50对，左右反射栅对数各取75对，孔径长度167.6um。叉指电极和缝宽可以错位到0.848um，实现的钽酸锂42度切基底的滤波器的频率为1.186GHz，可错位改变的最小频移为0.014Ghz。由于SAW滤波器的工作频率跟叉指电极周期和反射栅周期有关，可以通过改变叉指电极周期和反射栅周期从而有效改变SAW滤波器的工作频率。
[0029]本专利技术实施例提出一种新型的声表面波滤波器结构，其中的阶梯形插叉指电极和阶梯形反射栅在厚度方向上存在阶梯，如此结构，可以方便改变叉指电极和反射栅的排列周期进而改变声表面波滤波器器件的工作频率。
[0030]本专利技术实施例提供的一种声表面波滤波器的制备方法，包括下述步骤：
[0031]步骤一、利用双光子聚合工艺分别在基底上制备基板插指结构和套刻插指结构，得到第一掩膜版和第二掩膜版，其中，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版均包括镂空型的多个插指电极和反射栅；
[0032]本专利技术实施例中，制备第一掩膜版和第二掩膜版时可以按照如下步骤：
[0033]按照预设的排列周期将光刻胶粘贴于基底表面；
[0034]利用激光入射光刻胶使得所述激光与所述光刻胶产生双光子聚合效应产生微小光斑以对所述光刻胶进行光固化得到的微腔结构为所述插指电极；
[0035]通过丙酮对固化后的镂空基底进行剥离得到第一掩膜版和第二掩膜版。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，声表面波滤波的芯片上包括周期性排列的多个插指电极和反射栅，其中，每个插指电极和反射栅在厚度方向上包括阶梯状的多层，每层之间按照预设尺寸存在偏差。2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，每个插指电极和反射栅在厚度方向上包括阶梯状的两层。3.一种声表面波滤波器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：利用双光子聚合工艺分别制备镂空型的第一掩膜版和第二掩膜版，其中，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版均包括镂空型的多个插指电极和反射栅；将所述第一掩膜版置于压电晶体表面进行对版并镀膜得到初始的插指电极和反射栅；按照预设的阶梯电极偏差尺寸将所述第二掩膜版与第一掩模版进行对版然后进行二次镀膜，得到周期性排列的在厚度方向上具有多个阶梯层的插指电极和反射栅。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括：按照预设的排列周期将光刻胶粘置于载物台表面；利用激光入射入光刻胶使得所述激光与所述光刻胶产生双光子聚合效应产生微小光斑以对所述光刻胶进行光固化得到具有镂空型的周期性的插指电极和反射栅的第一掩模版和第二掩模版；通过丙酮对...
【专利技术属性】
技术研发人员：董波，
申请(专利权)人：西安聚安光科物联网科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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