一种薄膜型声表面波滤波器及其制备方法技术

本申请涉提供一种薄膜型声表面波滤波器及其制备方法，该薄膜型声表面波滤波器，包括基底，至少包括第一区域和第二区域；其中，在所述第一区域上设置有第一功能层，在所述第二区域上设置有第二功能层，所述第一功能层的厚度与所述第二功能层的厚度不同；补偿结构，设置在所述第一区域对应的基底与第一功能层之间和/或设置在所述第二区域对应的基底与第二功能层之间，以补偿所述第一功能层和所述第二功能层之间的厚度差。通过本技术方案，在保证器件性能的同时，提高滤波器的集成度。本发明专利技术适用于高度集成的滤波器。用于高度集成的滤波器。用于高度集成的滤波器。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜型声表面波滤波器及其制备方法


[0001]本申请涉及滤波器领域，具体涉及一种薄膜型声表面波滤波器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着无线通信技术的迅猛发展，移动通信制式已有移动通信全球系统(Global system ofmobile communications，GSM)、码分多址(Code
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Division Multiple Access，CDMA)、(TD
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SCDMA Long Term Evolution，TD
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LTE)向(5G New Radio，5G NR)过渡，此外蓝牙、无线局域网(Wireless Local Area Network，WLAN)、全球定位系统(Global Positioning System， GPS)等，卫星通信以及其他军用通信技术也都在高速发展，尤其第五代移动通信(5
th Generation Mobile Networks,5G)时代的到来以及国防装备信息发展的提速，将会给射频器件带来新的技术要求。<br/>[0003]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜型声表面波滤波器，其特征在于，包括：基底，至少包括第一区域和第二区域；其中，在所述第一区域上设置有第一功能层，在所述第二区域上设置有第二功能层，所述第一功能层的厚度与所述第二功能层的厚度不同；补偿结构，设置在所述第一区域对应的基底与第一功能层之间和/或设置在所述第二区域对应的基底与第二功能层之间，以补偿所述第一功能层和所述第二功能层之间的厚度差。2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一功能层的厚度小于所述第二功能层的厚度，所述第一功能层包括第一反射层，所述第二功能层包括第二反射层；所述补偿结构为厚度补偿层，设置在所述第一区域对应的基底与所述第一反射层之间，所述第一厚度补偿层的厚度为所述第一反射层与所述第二反射层的厚度差。3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一功能层的厚度小于所述第二功能层的厚度，所述第一功能层包括第一反射层，所述第二功能层包括第二反射层；所述补偿结构为凹槽，设置在所述第二区域对应的基底与所述第二反射层之间，所述凹槽的深度为所述第一反射层与所述第二反射层的厚度差。4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一功能层的厚度小于所述第二功能层的厚度，所述第一功能层包括第一反射层，所述第二功能层包括第二反射层；所述补偿结构为厚度补偿层和凹槽；其中，所述厚度补偿层设置在所述第一区域对应的基底与所述第一反射层之间，所述凹槽设置在所述第二区域对应的基底与所述第二反射层之间，所述厚度补偿层的厚度和所述凹槽的深度之和为所述第一反射层与所述第二反射层的厚度差。5.根据权利要求2
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4任意一项所述的滤波器，其特征在于，所述反射层的材料为二氧化硅；或者，所述反射层由低声阻抗层与高声阻抗层交替排列形成；其中，所述低声阻抗层的材料是二氧化硅，所述高声阻抗层的材料为氧化物或者金属，所述氧化物的声阻抗值大于二氧化硅的声阻抗值；或者所述反射层由低声速层与高声速层交替排列形成。6.一种薄膜型声表面波滤波器的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，至少包括第一区域和第二区域，其中，所述基底上位于所述第一区域上的第一功能层的厚度与所述第二区域上的第二功能层的厚度不同...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵娟，田熙，
申请(专利权)人：成都芯仕成微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：