SGT-MOSFET半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供一种SGT

【技术实现步骤摘要】
SGT-MOSFET半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及功率半导体
，更具体地，涉及一种SGT-MOSFET半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]SGT-MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽MOSFET的低导通损耗的优点，同时具有更加低的开关损耗。SGT-MOSFET作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。
[0003]SGT-MOSFET是一种深沟槽纵向结构的MOSFET，普通的功率MOSFET的耗尽电场是三角形，而SGT-MOSFET的深沟槽的屏蔽栅区域存在近似于矩形的耗尽电场，因而SGT-MOSFET具有更好的的器件耐压性。现有技术的SGT-MOSFET的相邻深沟槽之间的屏蔽栅可以起到横向耗尽的作用，电荷耦合效应使得深沟槽底部区域电场峰值拉升，电场沿深度的投影面积增加，在达到同样BV的情况下，使用更低电阻率的EPI(Epitaxy,简称EPI)以实现Rdson(导通状态电阻)的降低。由于屏蔽栅为掺杂多晶硅形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SGT-MOSFET半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有深沟槽；在所述半导体衬底上形成初始第一牺牲层，所述初始第一牺牲层还覆盖所述深沟槽的侧壁和底部；采用注入工艺对所述初始第一牺牲层进行离子注入，在所述半导体衬底上形成覆盖所述深沟槽侧壁和底部的第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的第二牺牲层；在所述第二牺牲层上形成第三牺牲层；形成填充所述深沟槽的阻挡层；以所述阻挡层为掩模，去除所述第二牺牲层、所述第三牺牲层，以及部分位于所述深沟槽侧壁的所述第一牺牲层，位于所述深沟槽侧壁的剩余的第一牺牲层的厚度沿所述深沟槽侧壁向所述深沟槽的底部逐渐增大；去除所述阻挡层。2.如权利要求1所述的SGT-MOSFET半导体器件的制备方法，其特征在于，所述深沟槽的侧壁与底部的角度为86.5
°
～89.5
°
。3.如权利要求1所述的SGT-MOSFET半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述初始第一牺牲层的材料为氧化硅，所述第一牺牲层的形成工艺包括热氧化法，所述初始第一牺牲层的厚度为2000埃～8000埃。4.如权利要求1所述的SGT-MOSFET半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入的离子为氩离子，所述注入工艺的注入能量为30KeV～100KeV，所述离子注入的注入深度为300埃～500埃，所述第二牺牲层的厚度为300埃～500埃，所述第二牺牲层的致密性低于所述第一牺牲层的致密性。5.如权利要求4所述的SGT-MOSFET半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第三牺牲层的致密性低于所述第二牺牲层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：楼颖颖，
申请(专利权)人：旭矽半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：