一种功率器件及其减薄方法技术

本发明专利技术公开了一种功率器件的减薄方法，包括：S1：提供衬底；S2：在衬底中注入杂质离子；所述杂质离子经过热处理之后形成腐蚀阻挡层；S3：在衬底正面形成正面器件结构；S4：采用腐蚀液对衬底背面进行湿法腐蚀减薄，且湿法腐蚀在腐蚀阻挡层处停止。本发明专利技术提供的一种功率器件的减薄方法，通过湿法腐蚀工艺配合腐蚀阻挡层来确定衬底背面减薄的终点位置，现减薄后衬底厚度一致，且高效精准，来增大衬底的正面有效面积，提升GDPW。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种功率器件及其减薄方法。

技术介绍

1、功率器件的性能与承载器件的硅片衬底厚度相关。更薄的衬底可以降低功率器件的最终导通电阻值。所以现有技术的功率器件制程中，在完成正面工艺后，需要单独的背面减薄工艺。

2、常规做法是采用机械研磨。一般研磨可以减薄硅片厚度到150～200um，如果采用taiko工艺，可以将硅片厚度进一步减薄到50um左右。taiko工艺的特点是需要在硅片背面的最外圈保留一个宽度3～5mm的圆环，这个圆环作为支持环(supporting ring)来保证taiko减薄后，硅片不会因太薄发生卷曲，造成器件损坏。

3、为了避免硅片发生卷曲，支持环的厚度必须足够厚。现有工艺的做法是在减薄工艺中，支持环位置处不做减薄。为了便于减薄后清洁硅片的酸洗工艺顺利进行，支持环与硅片内部的薄片区的过渡通常设置为开放的缓变台阶。

4、现有的减薄工艺存在如下缺点：

5、1.一般研磨减薄能力不能满足器件较低导通电阻的更高要求。

6、2.taiko工艺成本较高。

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【技术保护点】

1.一种功率器件的减薄方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种功率器件的减薄方法，其特征在于，所述杂质离子利用正面器件结构形成过程中的热处理，扩散形成腐蚀阻挡层。

3.根据权利要求1所述的一种功率器件的减薄方法，其特征在于，所述衬底为P型衬底，所述P型衬底中注入P型杂质离子。

4.根据权利要求1所述的一种功率器件的减薄方法，其特征在于，所述衬底为N型衬底，所述N型衬底中注入N型杂质离子。

5.根据权利要求1所述的一种功率器件的减薄方法，其特征在于，所述衬底为P型衬底，所述P型衬底中注入P型杂质离子；步骤S2具体包括：

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【技术特征摘要】

1.一种功率器件的减薄方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种功率器件的减薄方法，其特征在于，所述杂质离子利用正面器件结构形成过程中的热处理，扩散形成腐蚀阻挡层。

3.根据权利要求1所述的一种功率器件的减薄方法，其特征在于，所述衬底为p型衬底，所述p型衬底中注入p型杂质离子。

4.根据权利要求1所述的一种功率器件的减薄方法，其特征在于，所述衬底为n型衬底，所述n型衬底中注入n型杂质离子。

5.根据权利要求1所述的一种功率器件的减薄方法，其特征在于，所述衬底为p型衬底，所述p型衬底中注入p型杂质离子；步骤s2具体包括：

6.根据权利要求6所述的一种功率器件的减薄方法，其特征在于，步骤s3中...

【专利技术属性】
技术研发人员：楼颖颖，李铁生，王军，
申请(专利权)人：旭矽半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：