【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，更具体地，涉及一种应用于功率 器件的测试结构及其制造方法。
技术介绍
1、电力电子技术在工业领域占非常重要的地位，其中电力电子的功 率器件，尤其是igbt(insulated gate bipolar transistor，绝 缘栅双极型晶体管)器件，因具有高输入阻抗、低控制功率、驱动电 路简单、开关速度快、导通压降低、通态电流大、损耗小等优点，已 渐渐成为电力电子技术的核心器件之一。
2、在功率器件的结构中，多晶硅之间的氧化层的物理厚度和生长质 量对隔离多晶硅至关重要。但是氧化层存在于原胞结构的内部，无法 通过现有的检测机器来检测，而且，功率器件的多晶硅与硅表面同电 位，加电压测试的是栅氧层的性能参数，而无法直接检测多晶硅之间 的隔离氧化层的性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种应用 于功率器件的测试结构及其制造方法。
2、为实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种应用于功率器件的测 试结构，所述功率器件包括内设于衬底的若干原胞，各所述原胞包括 自下而上的屏蔽栅及控制栅以及设于所述屏蔽栅及所述控制栅之间 的第一隔离层，所述测试结构，其特征在于，包括：凹槽，内设于所 述衬底，一侧填设有所述原胞，另一侧填设有相连所述屏蔽栅的测试 栅，第一隔离层设于所述测试栅及所述控制栅之间。
3、优选地，所述测试栅自所述凹槽的顶部沿所述凹槽的底部延伸并 相连所述屏蔽栅。
4、优
5、优选地，填充所述凹陷的所述屏蔽栅的宽度由下至上逐渐减小； 所述控制栅的宽度大于所述测试栅的宽度。
6、优选地，还包括：设于所述凹槽与所述控制栅及所述屏蔽栅之间 的第二隔离层。
7、优选地，还包括：位于所述衬底上的导电插塞层，所述导电插塞 层内设有对应所述测试栅的第一插塞及对应所述控制栅的第二插塞。
8、本专利技术第二方面提供一种应用于功率器件的测试结构的制作方 法，其特征在于：s01：提供具有凹槽的衬底；s02：形成填充所述凹 槽的初始栅；s03：去除位于所述凹槽一侧的部分所述初始栅形成屏 蔽栅，另一侧的所述初始栅形成测试栅；s04：于所述测试栅及所述 屏蔽栅的表面形成第一隔离层；s05：于所述第一隔离层上形成填充 所述凹槽的控制栅。
9、优选地，s02之前，形成位于所述凹槽及所述初始栅之间的第二 隔离层；s03之中，去除所述初始栅与凹槽之间的部分所述第二隔离 层以暴露所述屏蔽栅的顶部。
10、优选地，所述初始栅的材料包括多晶硅，热氧化暴露的所述屏蔽 栅的顶部形成所述第一隔离层。
11、优选地，所述衬底的材料包括含硅材料，所述第二隔离层还形成 于所述凹槽与所述控制栅之间。
12、从上述技术方案可以看出，本专利技术的测试结构可以通过电学测试， 在晶圆测试(cp test)检测前可以检测第一氧化层的隔离性能，避 免不合格的功率器件流入后面工序，从而降低生产成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种应用于功率器件的测试结构，所述功率器件包括内设于衬底的若干原胞，各所述原胞包括自下而上的屏蔽栅及控制栅以及设于所述屏蔽栅及所述控制栅之间的第一隔离层，所述测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试栅自所述凹槽的顶部沿所述凹槽的底部延伸并相连所述屏蔽栅。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述控制栅的底部设有凹陷，所述第一隔离层覆盖所述凹陷的表面，所述屏蔽栅的顶部填充所述凹陷。
4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，填充所述凹陷的所述屏蔽栅的宽度由下至上逐渐减小；所述控制栅的宽度大于所述测试栅的宽度。
5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：设于所述凹槽与所述屏蔽栅之间的第二隔离层。
6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的导电插塞层，所述导电插塞层内设有对应所述测试栅的第一插塞及对应所述控制栅的第二插塞。
7.一种应用于功率器件的测试结构的制作方法，其特征在于：
8.如权利要求7所述的制作方法，
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述初始栅的材料包括多晶硅，热氧化暴露的所述屏蔽栅的顶部形成所述第一隔离层。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料包括含硅材料，所述第二隔离层还形成于所述凹槽与所述控制栅之间。
...【技术特征摘要】
1.一种应用于功率器件的测试结构，所述功率器件包括内设于衬底的若干原胞，各所述原胞包括自下而上的屏蔽栅及控制栅以及设于所述屏蔽栅及所述控制栅之间的第一隔离层，所述测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试栅自所述凹槽的顶部沿所述凹槽的底部延伸并相连所述屏蔽栅。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述控制栅的底部设有凹陷，所述第一隔离层覆盖所述凹陷的表面，所述屏蔽栅的顶部填充所述凹陷。
4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，填充所述凹陷的所述屏蔽栅的宽度由下至上逐渐减小；所述控制栅的宽度大于所述测试栅的宽度。
5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：设于所述凹槽与所述屏蔽栅之间的第二隔离...
【专利技术属性】
技术研发人员：王军，楼颖颖，
申请(专利权)人：旭矽半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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