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本发明提供一种应用于功率器件的测试结构及其制造方法，所述功率器件包括内设于衬底的若干原胞，各所述原胞包括自下而上的屏蔽栅及控制栅以及设于所述屏蔽栅及所述控制栅之间的第一隔离层，所述测试结构，其特征在于，包括：凹槽，内设于所述衬底，一侧填设有...
该专利属于旭矽半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旭矽半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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