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本发明公开了一种功率器件的减薄方法，包括：S1：提供衬底；S2：在衬底中注入杂质离子；所述杂质离子经过热处理之后形成腐蚀阻挡层；S3：在衬底正面形成正面器件结构；S4：采用腐蚀液对衬底背面进行湿法腐蚀减薄，且湿法腐蚀在腐蚀阻挡层处停止。本发...该专利属于旭矽半导体(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旭矽半导体(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种功率器件的减薄方法，包括：S1：提供衬底；S2：在衬底中注入杂质离子；所述杂质离子经过热处理之后形成腐蚀阻挡层；S3：在衬底正面形成正面器件结构；S4：采用腐蚀液对衬底背面进行湿法腐蚀减薄，且湿法腐蚀在腐蚀阻挡层处停止。本发...